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公开(公告)号：CN116400453A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310206913.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提出一种基于稀疏矩阵天线的高分辨率硅光相控阵扫描芯片，包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；芯层包括光分束单元、热光移相器和出射光栅波导阵列；光分束单元和出射光栅波导阵列位于二氧化硅包层内且位于二氧化硅缓冲层上；热光移相器置于二氧化硅包层上；光分束单元包括多个基于硅波导的分束器；分束器的工作带宽1450‑1750nm。本发明通过引入自相关因子来设计稀疏光栅结构，使得不同波导之间光的相位失配，对阵因子进行调制来抑制栅瓣进入自由空间，以达到改变波导光栅长度，即稀疏的目的，从而提出一种结构紧凑、分辨率高且串扰低的硅光相控阵扫描芯片。
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公开(公告)号：CN113126206A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110518045.8
申请日：2021-05-12
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法，其中，所述芯片包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。本发明不仅实现了偏振分束功能，而且具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能。
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公开(公告)号：CN110646883B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910944669.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 华东师范大学重庆研究院 , 上海朗研光电科技有限公司 , 上海理工大学 , 华东师范大学
Abstract: 本发明公开一种三通道硅基分束器芯片，包括一个输入波导、三个输出波导和设置在所述输入波导和所述输出波导之间的耦合区；所述耦合区为正方形；所述输入波导和所述输出波导的宽度相等,所述宽度为K：490nm
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公开(公告)号：CN109406043B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811282651.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种管状波导光栅传感器，包括：管状波导，具有出气口以及进气口，出气口与进气口分别设置在管状波导的两端的管壁上；双槽型光栅部，设置在管状波导的管壁上；密封件，设置在管状波导的两端，其中，双槽型光栅部包括第一双槽型光栅单元、第二双槽型光栅单元以及第三双槽型光栅单元，第一双槽型光栅单元设置在管状波导的靠近进气口的一端；第三双槽型光栅单元设置在管状波导的靠近出气口的一端；第二双槽型光栅单元设置在第一双槽型光栅单元与第二双槽型光栅单元之间。该管状波导可以在太赫兹波入射的情况下，实现多种气体的压强检测，另外，三个双槽型光栅单元的设置能够提高太赫兹波检测气体压强的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107843957A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711115471.7
申请日：2017-11-13
Applicant: 上海理工大学
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02B2006/12038 , G02B2006/1204 , G02B2006/12142 , G02B2006/12176 , G02F1/035
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅-铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法，二氧化硅包覆层中的氮化硅波导和位于其上表面的铌酸锂薄膜异质集成脊形波导，并在铌酸锂薄膜上表面放置行波电极。氮化硅波导与其上表面的铌酸锂薄膜交叉耦合，在行波电极上外加高速电信号，对通过铌酸锂薄膜的光波的相位进行控制，实现加载电信号的振幅调制到光信号的相位调制的转换。三维垂直集成设计，使芯片集成更紧凑，节省空间，同时降低光波导的插入损耗，可望实现100G的光调制速率，实现光波在铌酸锂薄膜中被高速调制并经氮化硅波导低损耗传播的特性，完成性能优异的光调制。其制作工艺与半导体加工工艺兼容，调制效率高，能耗低，在光信号处理等领域中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106772801A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710116953.8
申请日：2017-03-01
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长光栅结构的宽带氮化硅波导耦合器，由两个完全左右前后对称的结构相同的氮化硅波导耦合组成，输入端为分离的直波导，经过弯曲的锥形波导进入耦合区，到周期光栅结构，再到弯曲的锥形波导到输出端分离的直波导，锥形波导中间为从直波导宽度渐变小的锥形，两边为等宽的锯齿形，锯齿形的间隔结构与光栅结构相同，该波导耦合器从头到尾宽度和高度完全相等。设计的光栅结构的氮化硅宽带耦合器较传统意义上的耦合器而言能够极大地拓宽了传输带宽，传输损耗低，耦合效率高，性能稳定，在1550纳米光通信波段具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106054400A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610592414.7
申请日：2016-07-26
Applicant: 上海理工大学
CPC classification number: G02B27/283 , G02B27/4233
Abstract: 本发明涉及一种用于1THz波段的太赫兹偏振分束硅光栅，镂空的周期排列的矩形硅条纹构成的硅光栅，硅光栅的硅条纹宽度和周期的比值为0.27，光栅的周期为204.6‑219.4微米，硅片厚度为47.6‑51.4微米。此硅光栅对垂直入射的1THz光波，没有高阶衍射存在，仅有零阶的透射与反射波，光栅的消光比大于100。该透射反射式偏振分束光栅具有宽工作角度带宽、结构简单、成本低、高分束效率、高消光比等优点，在太赫兹成像和波谱测量领域中具有重要的实用价值。硅光栅可由飞秒微加工或微光学技术加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。
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公开(公告)号：CN214067451U
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202120103013.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
IPC: G02B6/42
Abstract: 本实用新型公开了一种光纤级波导芯片多输出耦合装置，包括：光学平台；安装在所述光学平台上，用于固定波导芯片并调整波导芯片位置的芯片固定装置；以所述芯片固定装置为中心成品字形布置安装在所述光学平台上，用于实现锥头光纤‑波导芯片‑锥头光纤的耦合双输出检测的耦合系统；一方面用于吸附波导芯片，另一方面用于吸附锥头光纤的真空吸附系统。本实用新型可调整的自由度较多，耦合损耗较小。
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公开(公告)号：CN217181270U
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202220512277.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种用于硅光耦合的平面光波导‑光纤阵列装置，平面光波导芯片包括基底、波导层和包覆层，波导层内设有多个光波导，在平面光波导芯片的两端光波导分别记为第一波导阵列和第二波导阵列，平面光波导芯片的第一端与光纤阵列具有互补形状，光纤阵列中的光纤与第一波导阵列光耦合对准，平面光波导芯片的第二端与硅光芯片具有互补形状，硅光芯片中的波导与第二波导阵列平面倏逝波耦合对准。与现有技术相比，本申请在平面光波导芯片两端分别耦合光纤阵列和硅光芯片，平面光波导芯片由窄距离间隔的输入波导转移为宽距离的输出波导，能将硅光芯片的光信号通过光纤进行通信传输，从而可以实现硅光芯片与光纤阵列实现模斑匹配的光信号传输。
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