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公开(公告)号：CN112255724B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011298132.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。
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公开(公告)号：CN114779401A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210233304.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于硅光耦合的平面光波导‑光纤阵列装置，平面光波导芯片包括基底、波导层和包覆层，波导层内设有多个光波导，在平面光波导芯片的两端光波导分别记为第一波导阵列和第二波导阵列，平面光波导芯片的第一端与光纤阵列具有互补形状，光纤阵列中的光纤与第一波导阵列光耦合对准，平面光波导芯片的第二端与硅光芯片具有互补形状，硅光芯片中的波导与第二波导阵列平面倏逝波耦合对准。与现有技术相比，本发明在平面光波导芯片两端分别耦合光纤阵列和硅光芯片，平面光波导芯片由窄距离间隔的输入波导转移为宽距离的输出波导，能够将硅光芯片的光信号通过光纤进行通信传输，从而可以实现硅光芯片与光纤阵列实现模斑匹配的光信号传输。
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公开(公告)号：CN116400453A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310206913.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提出一种基于稀疏矩阵天线的高分辨率硅光相控阵扫描芯片，包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；芯层包括光分束单元、热光移相器和出射光栅波导阵列；光分束单元和出射光栅波导阵列位于二氧化硅包层内且位于二氧化硅缓冲层上；热光移相器置于二氧化硅包层上；光分束单元包括多个基于硅波导的分束器；分束器的工作带宽1450‑1750nm。本发明通过引入自相关因子来设计稀疏光栅结构，使得不同波导之间光的相位失配，对阵因子进行调制来抑制栅瓣进入自由空间，以达到改变波导光栅长度，即稀疏的目的，从而提出一种结构紧凑、分辨率高且串扰低的硅光相控阵扫描芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113126206A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110518045.8
申请日：2021-05-12
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法，其中，所述芯片包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。本发明不仅实现了偏振分束功能，而且具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能。
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公开(公告)号：CN112255724A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011298132.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。
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公开(公告)号：CN214067429U
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202022674059.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本实用新型可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。
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公开(公告)号：CN217181270U
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202220512277.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种用于硅光耦合的平面光波导‑光纤阵列装置，平面光波导芯片包括基底、波导层和包覆层，波导层内设有多个光波导，在平面光波导芯片的两端光波导分别记为第一波导阵列和第二波导阵列，平面光波导芯片的第一端与光纤阵列具有互补形状，光纤阵列中的光纤与第一波导阵列光耦合对准，平面光波导芯片的第二端与硅光芯片具有互补形状，硅光芯片中的波导与第二波导阵列平面倏逝波耦合对准。与现有技术相比，本申请在平面光波导芯片两端分别耦合光纤阵列和硅光芯片，平面光波导芯片由窄距离间隔的输入波导转移为宽距离的输出波导，能将硅光芯片的光信号通过光纤进行通信传输，从而可以实现硅光芯片与光纤阵列实现模斑匹配的光信号传输。
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公开(公告)号：CN214586094U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202121007557.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 苏州科沃微电子有限公司 , 上海理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。本实用新型不仅实现了偏振分束功能，而且具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能。
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