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公开(公告)号：CN104403570A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2-30份；氧化剂A0.01-5份；氧化剂B0.01-5份；表面活性剂0.01-4份；水性介质85-95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2-6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN103682094A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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公开(公告)号：CN103484024A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310419636.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。
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公开(公告)号：CN102827549A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210324122.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。
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公开(公告)号：CN102757732A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210219203.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种可有效应用于Al衬底化学机械抛光工艺的抛光液。本发明提供一种Al衬底用化学机械抛光液,包含抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂、pH调节剂及水性介质。其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：抛光颗粒0.1-50wt%；氧化剂0.01-10wt%；螯合剂0.01-5wt%；腐蚀抑制剂0.0001-5wt%；表面活性剂0.001-2wt%；余量为pH调节剂和水性介质。可显著降低化学机械抛光后Al衬底表面的桔皮坑等缺陷,从而大大改善抛光后Al衬底表面质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113277521A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531736.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C01B33/143 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种胶体二氧化硅的制备方法，本发明采用胶体二氧化硅颗粒边生长边过滤边超滤浓缩排水的方法，实现颗粒制造周期缩短一半以上，生产效率大大提高；制备得到的胶体二氧化硅，粒径在60nm‑150nm，大颗粒数(≥0.56微米的颗粒数)
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公开(公告)号：CN111748286A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010618676.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种金属钴抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤10％；L-天冬氨酸0.005-10％；谷胱甘肽0.005-10％。本发明通过调配氧化剂和络合剂的比例以及添加谷胱甘肽，得到的抛光液可以抑制金属钴的化学腐蚀，同时提高抛光速率以及降低表面粗糙度，同时降低Cu-Co之间的电偶腐蚀，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104559798B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15Å以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
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公开(公告)号：CN106044786A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610382474.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C01B33/145 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , C01B33/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸，在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位，期间，滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5，保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度，同时减少划痕产生。
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公开(公告)号：CN103682094B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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