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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105667753A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120427.4
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B64B1/00
CPC classification number: B64B1/00
Abstract: 一种浮空器多点承重袢，包括：多个辔和设置于浮空器蒙皮上的袢底，其中：设置于浮空器蒙皮上的袢底以及若干个环布于袢底上的辔，其中：袢底呈椭圆形且为多层结构，每个辔的两端固定于袢底上并形成V字形结构，本装置多点承重分散了载荷，增大了袢的承载能力，同时避免辔和袢的分离，上辔和下辔互为备份，增加了结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN1294074C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410018009.1
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法，用于薄膜技术领域。制造方法如下：首先采用光刻和刻蚀形成光刻对准符号和硅刻蚀窗口，套刻符号作为曝光时双面对准符号，保证套刻精度，然后采用溅射方法制备底层，通过光刻在硅片上形成电镀金属薄膜微桥光刻胶图形，其次采用电镀技术电镀金属薄膜微桥，采用物理刻蚀去除底层，最后采用夹具保护、用硅的湿法刻蚀技术去除金属薄膜微桥下面的硅衬底材料。测试方法：在微桥中心放置一刚性压条，保证在微桥中心位置施加一线性载荷，用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量，其压头为Berkovich三棱锥压头，采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线，得到薄膜的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN1688035A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510026606.3
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于传感器技术领域的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件，本发明由带SiO2层的硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜和偏置永磁体组成，引脚从多层膜两端的铜层引出，并设置在衬底上，整个曲折状三明治结构软磁多层膜位于带SiO2层的硅衬底上。偏置永磁体用微细加工技术制备，并用环氧胶水粘贴于磁敏器件的背面。使其采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
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公开(公告)号：CN1569608A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018009.1
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法，用于薄膜技术领域。制造方法如下：首先采用光刻和刻蚀形成光刻对准符号和硅刻蚀窗口，套刻符号作为曝光时双面对准符号，保证套刻精度，然后采用溅射方法制备底层，通过光刻在硅片上形成电镀金属薄膜微桥光刻胶图形，其次采用电镀技术电镀金属薄膜微桥，采用物理刻蚀去除底层，最后采用夹具保护、用硅的湿法刻蚀技术去除金属薄膜微桥下面的硅衬底材料。测试方法：在微桥中心放置一刚性压条，保证在微桥中心位置施加一线性载荷，用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量，其压头为Berkovich三棱锥压头，采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线，得到薄膜的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN1564276A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017852.8
申请日：2004-04-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种微型化磁芯螺线管微电感器件及其制备方法，微电感器件主要由衬底，引脚，线圈、磁芯组成，矩形或环形闭合的磁芯上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈，线圈及引脚设置在衬底平面上。线圈由底层线圈和顶层线圈通过连接导体连接形成，底层线圈、顶层线圈及连接导体通过聚酰亚胺绝缘材料和磁芯隔开，线圈与线圈之间通过聚酰亚胺绝缘材料隔开。制造过程中采用了如下工艺处理：将硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，采用物理刻蚀种子层技术，采用抛光技术以及二次电镀方法，得到连接导体。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得电感性能大大提高。
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