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公开(公告)号：CN102655159A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210046691.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种大型X射线探测器，该X射线探测器包括：在印刷电路板上的多个芯片，所述多个芯片中的每个芯片包括在所述印刷电路板的中央部分上的多个像素焊盘和围绕所述多个像素焊盘的多个引脚焊盘；布置在所述多个芯片上且与所述多个芯片相应的多个像素电极；电连接所述多个像素电极和所述多个像素焊盘的再分配层；在一表面上的多个第一电极焊盘，所述表面与所述多个芯片的包括所述多个引脚焊盘的表面相反；电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚焊盘的布线；形成在所述多个像素电极上的光电导体；以及形成在所述光电导体上的公共电极。
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公开(公告)号：CN101657885B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880011578.X
申请日：2008-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层。在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga2O3、HfO2、In2O3和ZnO之一但彼此不同。该氧化物半导体靶可为Ga2O3、HfO2、In2O3和ZnO之一。
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公开(公告)号：CN101681933B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN102130177A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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公开(公告)号：CN102104072A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
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公开(公告)号：CN102044553A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010229497.6
申请日：2010-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/73 , G11C2213/79 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件可以包括：衬底；多条第一信号线，在衬底上且沿垂直方向；多个存储单元，具有连接到多条第一信号线的末端；多条第二信号线，在衬底上且垂直于多条第一信号线，并且每个所述第二信号线连接到多个存储单元的另一末端；以及多个选择元件，在衬底上并连接到多条第一信号线中的至少两条。
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公开(公告)号：CN101657885A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011578.X
申请日：2008-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层。在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga 2 O 3 、HfO 2 、In 2 O 3 和ZnO之一但彼此不同。该氧化物半导体靶可为Ga 2 O 3 、HfO 2 、In 2 O 3 和ZnO之一。
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