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公开(公告)号：CN109841686B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201811424893.7
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 竖直型半导体装置包括：绝缘图案，其位于衬底上并且在与衬底的顶表面垂直的第一方向上彼此间隔开；沟道结构，其位于衬底上并且穿透绝缘图案；第一导电图案，其部分地填充在第一方向上彼此相邻的绝缘图案与沟道结构之间的间隙，并且在其表面中具有狭缝，狭缝在与衬底的顶表面平行的方向上延伸；以及，第二导电图案，其位于间隙中的第一导电图案上并填充狭缝。
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公开(公告)号：CN114072046B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080048239.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/01 , A61B5/0205 , A61B5/332 , A61B5/00
Abstract: 本公开提供了一种电子装置。该电子装置包括：壳体；印刷电路板，其布置在壳体的内部并包括第一面和背离第一面的第二面；连接构件，其布置在第一面上并且电连接到印刷电路板；开关构件，其布置在第一面上并且当从第一面上方观察时至少部分地与连接构件重叠；以及按钮构件，其包括导电构件并布置为能够操作开关构件。导电构件与连接构件电连接。
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公开(公告)号：CN110544696B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910744071.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置和制造存储器装置的方法，所述存储器装置包括：多个栅电极层，堆叠在基底的上表面上；多个通道，在垂直于基底的上表面的方向上延伸穿过所述多个栅电极层；多个电路元件，设置在所述多个栅电极层的外围区域中；以及层间绝缘层，包括仅设置在外围区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层以及覆盖第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的至少一部分的第二层间绝缘层。
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公开(公告)号：CN110620740B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910485994.3
申请日：2019-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种信号接收电路及其操作方法。信号接收电路可以包括接收均衡器和序列估计器。接收均衡器可以被配置为基于来自外部的接收信号，补偿来自外部的信号中的符号间干扰以输出均衡数据。序列估计器可以被配置为基于均衡数据确定终止符号，基于所确定的终止符号对接收信号执行解码，以及输出解码后的接收信号作为序列数据。
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公开(公告)号：CN114078862A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110785462.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置和包括其的数据存储系统。半导体装置包括外围电路结构和存储单元结构，外围电路结构包括第一衬底和位于第一衬底上的电路元件，存储单元结构包括：第二衬底，位于第一衬底上；第一水平导电层，位于第二衬底上；第二水平导电层，位于第一水平导电层上；栅电极，彼此间隔开并且堆叠在第二水平导电层上；沟道结构，穿过栅电极；以及分隔区域，穿过栅电极、延伸并且彼此间隔开。半导体装置具有贯穿布线区域，贯穿布线区域包括将存储单元结构和外围电路结构电连接的贯穿接触插塞，分隔区域包括相邻于贯穿接触插塞的第一分隔区域，并且第一分隔区域穿过第二水平导电层并且与第一水平导电层间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114072046A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080048239.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/01 , A61B5/0205 , A61B5/332 , A61B5/00
Abstract: 本公开提供了一种电子装置。该电子装置包括：壳体；印刷电路板，其布置在壳体的内部并包括第一面和背离第一面的第二面；连接构件，其布置在第一面上并且电连接到印刷电路板；开关构件，其布置在第一面上并且当从第一面上方观察时至少部分地与连接构件重叠；以及按钮构件，其包括导电构件并布置为能够操作开关构件。导电构件与连接构件电连接。
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公开(公告)号：CN113838855A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110699279.7
申请日：2021-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11575
Abstract: 一种半导体装置，包括：外围电路区域，具有第一衬底、位于第一衬底上的电路器件以及第一布线结构；存储单元区域，具有第二衬底、栅电极、沟道结构、第一水平导电层、绝缘区域、第二水平导电层和第二布线结构，第二衬底具有第一区域和第二区域，栅电极堆叠在第一区域中，沟道结构穿过栅电极，第一水平导电层在第一区域中位于第二衬底上，绝缘区域在第二区域中位于第二衬底上，第二水平导电层位于第一水平导电层和绝缘区域上；以及第三布线结构，将第一衬底连接到第二衬底，并且包括上通路和下布线结构，上通路穿过第二水平导电层、绝缘区域和第二衬底，下布线结构连接到上通路。
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公开(公告)号：CN112534833A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051910.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的各种实施例的电子装置包括：壳体，包括输出声音的声音通路；声音输出装置，布置在壳体的至少一部分中，并且经由所述声音通路连接到电子装置的外部；存储器；以及处理器，与声音输出装置和存储器电连接。处理器可以被配置为：检查与声音输出装置的输出相关联的预定信息的接收；当接收到所述预定信息时，基于所述预定信息经由声音输出装置输出包括多个频带的声音；在声音正在被输出时，将所述多个频带的各个中心频率保持为基本相同；并且在预定范围内改变所述多个频带的声压。
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公开(公告)号：CN110581711A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201811501649.6
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种均衡器和包括均衡器的发送器。一种用于根据信道从串行数据生成均衡信号的集成电路包括：移位寄存器，从串行数据提取符号序列。数据存储器存储与对应于滤波器系数序列的潜在符号序列对应的均衡数字信号的值。查找表输出与提取的符号序列对应的值均衡数字信号。数模转换器(DAC)将均衡数字信号转换为均衡信号。控制器响应于控制信号基于存储在数据存储器中的值和包括在查找表中的值中的至少一个来刷新查找表。
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公开(公告)号：CN104659033B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201410663213.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C5/06 , G11C8/14
Abstract: 本发明提供了垂直存储器器件及其制造方法。该垂直存储器器件包括基板、沟道、栅线和连接部分。多个沟道在垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。多个栅线在第一方向上堆叠以彼此间隔开，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸，每个栅线交叉一组沟道并围绕该组沟道的每个沟道的外侧壁。栅线形成包括多个垂直水平面的台阶结构。连接部分连接多个栅线中的位于相同的垂直水平面的一组栅线，连接部分从第二方向分支，该组栅线中的栅线在第二方向上延伸。
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