公开(公告)号：CN101197137B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200710162731.6

申请日：2007-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  孙镇昇 ,  李丙圭 ,  赵恩亨 ,  金海成

IPC: G11B5/64 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/74 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029

Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括基底和记录层，其中，记录层由多个磁点和无磁区形成，无磁区形成在基底上，用于分隔每一磁点。

公开(公告)号：CN100527227C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN03148406.9

申请日：2003-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325

Abstract: 一种垂直磁记录介质包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。由于使用了三层的垂直定位衬层，所以获得了Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。

公开(公告)号：CN101383158A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810098664.0

申请日：2008-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵桐基 ,  洪承范 ,  李丙圭 ,  孙镇昇

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/64

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/855 ,  G11B9/02

Abstract: 本发明提供了一种具有超轨道的位图介质、一种读取记录在该位图介质上的数据的读头以及一种用于在该位图介质上记录数据/从该位图介质读取数据的硬盘驱动器(HDD)。该位图介质包括：基底；记录层，在基底上，形成有多个位单元，其中，位单元沿着形成具有不同半径的同心圆的多个轨道彼此分离，其中，每个轨道包括含有多个子轨道的超轨道，形成在子轨道中的一个上的位单元与形成在邻近的子轨道上的位单元沿着记录层的圆周方向布置在不同的位置。读取记录在位图介质上的数据的读头沿着横跨轨道方向的宽度足以读取与多个子轨道的数目相等的数目的位单元的数据。

公开(公告)号：CN101159139A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710136235.3

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  尹成龙 ,  孙镇昇 ,  李丙圭

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。

公开(公告)号：CN100371993C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03147267.2

申请日：2003-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 一种垂直磁记录介质，其中，将垂直磁记录层设置在基质上，而将软磁层设置在基质和垂直磁记录层之间。在垂直磁记录介质中，将软磁定向层设置在软磁层和基质之间，以在磁性上对软磁层定向。因此，虽然软磁层很薄，它仍具有稳定的磁特性，并产生较小的噪音。

公开(公告)号：CN100351906C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410103738.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭 ,  李炅珍 ,  洪寿烈

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。

公开(公告)号：CN1945712A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610121327.X

申请日：2006-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐成东 ,  孙镇升 ,  李丙圭 ,  赵恩亨

IPC: G11B11/105 ,  G11B5/02

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B7/1387 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明提供了一种光传送模块和使用该模块的热辅助磁记录(HAMR)头，所述模块的结构使得部件能够精确对准并且被集成为单个单元。所述光传送模块包括：具有第一凹槽的底座；安装在所述底座上的光源；安装在所述底座上的光学器件，其引导从所述光源发出的光；结合到所述底座上以保护所述光源和光学器件的盖元件，其具有朝向所述第一凹槽的第二凹槽；和结合在所述第一和第二凹槽中以通过调节通过所述光学器件传导的光的分布而形成增强近场的纳米孔径。

公开(公告)号：CN1249675C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03141187.8

申请日：2003-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325

Abstract: 提供一种包括磁记录层和支撑该磁记录层的基材。在磁记录层与基材之间设置包括一非金属层的至少两层。垂直磁记录介质使用双层或三层。因此，垂直磁记录层因第三下层具有高垂直磁各向异性能量常数Ku，和因在第三下层下面的第二下层具有很小的交换偶联。因此，直磁记录层可具有良好的热稳定性、高密度记录特征和优良的SNR特征。

公开(公告)号：CN1484219A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03147266.4

申请日：2003-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔 ,  李炅珍

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/74 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0029

Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。