公开(公告)号：CN106233440A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020389.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  萩本和德 ,  土屋庆太郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域和所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而，提供一种半导体基板，能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性，从而来降低漏泄电流，并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性，因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。

公开(公告)号：CN106165073A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018723.7

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/283 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。

公开(公告)号：CN106165072A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018718.6

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。