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公开(公告)号：CN109830440A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910068469.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅-硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率，提高形成的半导体器件抗辐射总剂量效应的性能。
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公开(公告)号：CN108831835A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651307.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层，所述半导体层表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区；在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN108831834A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651306.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层；在所述半导体层表面形成具有开口的图形化掩膜层；采用扩散工艺对所述开口下方的半导体层内进行离子掺杂，形成载流子吸收区，所述扩散工艺采用的掺杂离子能够在所述载流子吸收区内形成能级缺陷。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN105904342A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610518213.2
申请日：2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
CPC classification number: B24B41/067 , B24B7/162
Abstract: 本发明公开了一种批量加工圆柱体端面的夹紧工装，包括底板、主体、滑动夹持块和夹持锁紧螺丝，主体固设在底板上，主体内设置有至少一列水平间隔布置并上下贯通的滑槽，每个滑槽内安装有一块与主体等高、与通槽等宽的滑动夹持块，每个滑动夹持块配备有一颗夹持锁紧螺丝，夹持锁紧螺丝通过螺纹水平拧过主体的侧壁并伸到对应的滑槽内与滑动夹持块相连，通过拧动夹持锁紧螺丝能带动滑动夹持块在滑槽内沿夹持锁紧螺丝的轴线移动，滑槽远离对应的夹持锁紧螺丝的那一端带尖角。该工装不但可以对SMA、SMB、SMC、ABS、T0251等设备上使用的吸笔进行整体修磨，还可以对其它类似的圆柱体端面进行批量加工，从而大幅提升工作效率和产品质量。
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公开(公告)号：CN104907262A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410656712.9
申请日：2014-11-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 李春来
Abstract: 本发明公开了一种轴向电子元器件混料自动检测及分料装置，包括基体、光电开关、电控阀、控制器和收料筒，基体的上表面中部设有用于通过轴向电子元器件的凹槽形通道；凹槽形通道的中段的底部设有竖直向上的吹料孔，吹料孔通过吹料风道外接由电控阀控制开、关的高压气源，收料筒安装于基体的上方；凹槽形通道中位于吹料孔的入料侧的一段的一个侧壁上设有多个用于向另一个侧壁方向吹气的定位吹气孔，定位吹气孔通过定位风道外接高压气源；光电开关安装于基体内并位于吹料孔旁边的位置，光电开关和电控阀分别与控制器对应连接。本发明所述自动检测及分料装置能实现轴向电子元器件混料的自动检测和分料，检测准确、效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000699B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210541068.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/33 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。
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公开(公告)号：CN102788284A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210292561.4
申请日：2012-08-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: F21S4/00 , F21V23/06 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种柔性LED灯带及其制作方法，灯带由多个LED光源模块排列而成，其特征在于：LED光源模块包括上、下两块隔离的铜片以及连接在上、下两块铜片之间的绝缘片，铜片和绝缘片的上表面涂覆有导热层，在导热层上贴装有至少一串LED芯片，在上、下两块铜片上分别设置有电极焊接点，所述LED芯片串接在上、下两个电极焊接点之间，其制作方法包括割料—蚀刻—填料—涂覆—贴装—接线六个步骤。其显著效果是：灯带的连接性好，COB封装的LED光源模块稳定性高，装配方便，可单一模块贴装或多模块连装，可实现大规模批量化生产制造，不但可以应用在玉米灯上，还可以制作各类传统灯型，在路灯光源模块或隧道灯光源模块上也能很好利用。
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公开(公告)号：CN102569065A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110436748.2
申请日：2011-12-23
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种二极管芯片的酸洗工艺，依次为混合酸清洗，酸与双氧水混合清洗，氨水与双氧水混合清洗，所述酸与双氧水混合清洗液为双氧水，硫酸，纯水，它们的体积配比是双氧水∶硫酸∶纯水为1∶1∶15～30，混合液具体配制为：先加入纯水，在加入双氧水，最后加入硫酸。改进后的硫酸混合液能较好的替代磷酸混合液，且配比浓度低，既节约了成本，又消除了磷离子污染。
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公开(公告)号：CN102554547A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110446407.3
申请日：2011-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K37/053 , B23K37/02
Abstract: 本发明公布了一种圆形容器焊接工装，包括机架，在该机架的下板上固定有下夹具支撑座，在该下夹具支撑座上安装有平面轴承，在该平面轴承上支撑有环形下夹具；在所述机架的上板上固定有上夹具气缸，该上夹具气缸的活塞杆下端固定有电机，所述电机的输出轴下端固定有上夹具，所述上夹具位于所述环形下夹具的正上方；在所述机架的侧板上固定有焊枪移动气缸，在该焊枪移动气缸的活塞杆端部固定有焊枪固定座。本发明的采用具有焊接质量好、效率高、降低劳动强度等特点。
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公开(公告)号：CN102442540A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110394672.1
申请日：2011-12-02
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B65G47/26
Abstract: 本发明公开了一种可快速更换的防磨下料板，由第一基板和第二基板组合而成，在第一基板第二基板的两侧边之间设置为曲线型的下料槽，其特征在于：所述第一基板与第二基板均由上端的固定板和下端的替换板组成。其显著效果是：在磨损严重的位置采用耐磨的硬质合金材料作为替换板，延长设备的使用寿命，相对于整体采用硬质合金材料而言，又降低了设备成本，即使替换板发生损坏，维修过程中直接更换替换板，不需要整体更换下料板，不需要调试下料槽的间隙，从而减少更换时间，提高生产效率。
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