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公开(公告)号：CN115938997B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310245269.5
申请日：2023-03-15
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
发明人： 邱宏程
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本申请提供一种晶圆卡盘，包括夹持件、卡盘基体和监测件，当夹持件夹持晶圆时，设置在夹持件上的监测件产生载荷值信号，若载荷值小于第一预设值，监测件发出第一类报警信号，避免晶圆在夹持件上脱落，进而损坏晶圆以及造成清洗设备损坏的风险，从而提高晶圆卡盘以及清洗设备的安全性和可靠性，同时，通过监测件实时监控夹持件的工作状态，降低工厂巡检人员的工作量。
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公开(公告)号：CN116110920A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310137667.5
申请日：2023-02-20
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区、位于相邻两个有源区之间的隔离结构以及位于有源区上的绝缘层，其中，隔离结构的厚度与绝缘层的厚度不同；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一掩膜层；利用第一掩膜层对衬底进行离子注入处理，形成深阱区；去除第一掩膜层以及缓冲层；本申请通过在衬底上形成缓冲层，使得缓冲层同时覆盖隔离结构和绝缘层，可以消除隔离结构和绝缘层对光产生的反射差异，即消除了反射差异对曝光的影响，从而实现光刻工艺关键尺寸的均匀性控制，保证离子注入的均匀，提升了像素的满阱容量的均一性，减少了不规则噪声。
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公开(公告)号：CN115842033B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310138121.1
申请日：2023-02-20
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G03F1/00
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体制作方法，所述制作方法包括：提供半导体结构；在所述半导体结构上形成感光层；对所述感光层进行曝光、显影，以形成第一图案；其中，所述第一图案显露所述半导体结构；在所述第一图案的侧壁上形成粘附层，以形成第二图案；其中，所述第二图案的深宽比大于所述第一图案的深宽比。
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公开(公告)号：CN115692312B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310010326.1
申请日：2023-01-05
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底具有相对的正面以及背面；对衬底的正面进行开孔以及填充处理以形成初始硅通孔结构，初始硅通孔结构的底部及侧壁与衬底之间通过绝缘层隔开；对衬底的背面进行露孔处理，以露出部分的绝缘层；去除露出的绝缘层，以露出部分的初始硅通孔结构；于衬底的背面以及初始硅通孔结构露出的表面形成钝化层；去除露出的初始硅通孔结构以及位于露出的初始硅通孔结构表面的钝化层，以形成硅通孔结构；硅通孔结构的表面与位于衬底背面的钝化层的表面相齐平。采用本发明的半导体结构的制备方法能够避免芯片的可靠性降低。
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公开(公告)号：CN114582721A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210479744.0
申请日：2022-05-05
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/768
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法，包括：在第一晶圆中形成第一盲孔；在所述第一盲孔中形成第一填充结构；形成覆盖所述第一晶圆和所述第一填充结构的第一掩膜结构；其中，所述第一掩膜结构包括掩膜开口；根据所述掩膜开口刻蚀所述第一晶圆，以在所述第一晶圆中形成第二盲孔；其中，所述第二盲孔的深度与所述第一盲孔的深度不同；所述第二盲孔的位置与所述第一盲孔的位置不同；在形成所述第二盲孔之后，去除所述第一掩膜结构和所述第一填充结构。
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公开(公告)号：CN118983287A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411455443.X
申请日：2024-10-17
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/00 , H01L21/768
摘要： 本公开提供了一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法，该转接板结构包括沿第一方向电连接的第一子转接板结构和第二子转接板结构；第一子转接板结构包括第一凹槽和多个第一导电柱，第二子转接板结构包括第二凹槽和多个第二导电柱；第一凹槽的开口方向与第二凹槽的开口方向相对设置，至少一个第一导电柱和至少一个第二导电柱一一对应电连接。
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公开(公告)号：CN118231239A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410635045.X
申请日：2024-05-21
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , H01L21/67 , H01F7/06 , H01F6/00
摘要： 本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体装置，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括第一源漏极和第二源漏极；在第一源漏极和第二源漏极表面形成金属层；对含有金属层的基底进行第一次退火，形成高阻态金属硅化物薄膜；在磁场力的作用下，对含有高阻态金属硅化物薄膜的基底进行第二次退火，形成低阻态金属硅化物薄膜；其中，在磁场力的作用下，高阻态金属硅化物薄膜中的金属原子竖直地向第一源漏极和第二源漏极的内部运动。这样，能够形成更加均匀的低阻态金属硅化物薄膜，有利于提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN117000705B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311279590.1
申请日：2023-10-07
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
发明人： 何玉琦
摘要： 本申请实施例公开了一种管路粉尘处理装置，包括：监测模块、逻辑控制电路和清除模块。其中，监测模块，设置于机台的气体管路中，被配置为监测气体管路中的粉尘厚度，得到对应的厚度电信号；逻辑控制电路，分别电连接监测模块和机台，被配置为接收厚度电信号，并获取机台的状态读值，基于机台的状态读值和厚度电信号，发出清除指令；清除模块，电连接逻辑控制电路，被配置为接收并响应于清除指令，对气体管路中的粉尘进行清除。
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公开(公告)号：CN117219575A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311147179.9
申请日：2023-09-05
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，能够提高导电柱与半导体器件的电性接触效果，且降低半导体结构的工艺难度和成本。所述制作方法包括：提供第一衬底。在所述第一衬底表面形成至少一个凹槽。在所述至少一个凹槽内填充导电材料，形成多个导电柱。沿所述导电柱延伸方向，在所述导电柱的相对两端中的至少一端所在结构中形成第一空腔，所述第一空腔暴露所述导电柱的端面。在所述第一空腔中形成第一半导体器件，所述第一半导体器件与所述导电柱电连接。
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公开(公告)号：CN116759359B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311040719.3
申请日：2023-08-18
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
发明人： 周威
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆定位方法及装置、计算机设备及可读存储和程序产品。上述晶圆定位方法、晶圆定位装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过控制激光发射器在移动过程中向晶圆发射激光，并通过控制第一激光接收器在移动过程中接收由晶圆对所述激光进行反射后形成的反射光获得激光反射接收结果，进而可以确定激光是否通过了晶圆的直径。同时，通过第二激光接收器接收激光发射器直射所发出的激光获得激光直射接收结果，进而可以通过激光直射接收结果确定相应的激光接收位置。相较于人工调整的方式而言，本申请实施例提供的晶圆定位方式不仅提高了晶圆的定位准确性，也减少了晶圆定位时间。
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