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公开(公告)号：CN112655039B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980058671.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G11C19/28
Abstract: 提供一种触发器电路以及驱动电路。该触发器电路包括第一至第五输入端子及第一至第三输出端子，第一输入端子被供应第一触发信号，第二输入端子被供应第二触发信号，第三输入端子被供应一次性选择信号，第四输入端子被供应第一脉冲宽度调制信号，第五输入端子被供应第二脉冲宽度调制信号。第一输出端子在被供应第一触发信号之后且被供应第二触发信号之前的期间根据第一脉冲宽度调制信号供应第一选择信号，第一输出端子在被供应一次性选择信号的期间供应第一选择信号，第二输出端子在被供应第一触发信号之后且被供应第二触发信号之前的期间根据第二脉冲宽度调制信号供应第二选择信号，第三输出端子供应第三触发信号。
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公开(公告)号：CN112119448B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980032918.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20 , G09G3/32 , H10K59/10
Abstract: 提供一种发光元件由三角波点亮的新颖的显示装置。本发明的一个方式是包括第一像素、第二像素、第一布线、第二布线及第三布线的显示装置的驱动方法。第一布线与第一像素及第二像素电连接。第二布线与第一像素电连接，第三布线与第二像素电连接。对第一像素通过第二布线供应第一显示数据，对第二像素通过第三布线供应第二显示数据。第一像素或第二像素在不同时刻开始发射光。在第一时刻，第一像素达到对应于第一显示数据的最大亮度并且第二像素达到对应于第二显示数据的最大亮度。通过对第一布线供应复位信号，第一像素及第二像素在第二时刻被初始化而关灯。
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公开(公告)号：CN112805592B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980066618.9
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01S15/931 , B62J27/00 , G01S7/526 , G08B21/00 , G08G1/16
Abstract: 提供一种能够提高安全性的驾驶员报警系统。自行车包括发射第一超声波的第一发射电路、接收第二超声波的第一接收电路、从第二超声波检测出物体有无的运算电路及发射第三超声波的第二发射电路。驾驶员穿戴包括接收第三超声波的第二接收电路的第二外壳。运算电路包括以不同时序分别选择对应于第二超声波的电位的第一选择电路、保持对应于第二超声波的电位的多个信号保持电路、选择多个信号保持电路中的任一的第二选择电路及被输入由第二选择电路选出并输出的信号的信号处理电路。第二选择电路以不同时序分别选择多个信号保持电路来生成拖延了第二超声波的信号。将根据该信号生成的第三超声波发送到上述第二外壳。
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公开(公告)号：CN118742128A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715558.1
申请日：2019-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/35 , H10K59/10 , H10K59/12 , H10K59/121 , H10K59/80
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括呈现不同颜色的光的多个发光单元。发光单元实现了微腔结构(微谐振器结构)，增强特定波长的光。在呈现不同颜色的光的发光单元中，形成厚度不同的反射层，以覆盖该反射层的方式形成绝缘层，然后对该绝缘层的顶面进行平坦化处理，由此制成厚度互不相同的绝缘层。之后，在被平坦化的绝缘层的顶面形成与各反射层重叠且发射白光的发光元件，由此分别制成由各光路长度分别增强了各颜色光的发光单元。
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公开(公告)号：CN118742077A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410333329.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以适用于高清晰显示装置的串联型发光器件。本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件包括第一电极、与第一电极对置的第二电极以及第一电极和第二电极之间的第一发光层及第二发光层，在第一发光层和第二发光层之间包括第一层，第一层的GSP_slope(mV/nm)为正负号与第一发光层的GSP_slope(mV/nm)相反的值。(注意，GSP_slope(mV/nm)是在膜的表面电位为V(mV)且厚度为d(nm)时由V/d表示的参数)。
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公开(公告)号：CN110637415B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201880033269.6
申请日：2018-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K5/08 , H10B10/00 , H10B12/00 , H01L29/786 , H02M3/07
Abstract: 提供一种能够直接输入要比较的负电压的比较电路。该比较电路包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子以及差分对。该比较电路对负电压与负参考电压进行比较，根据比较结果从第一输出端子输出第一输出电压。第一输入端子被输入负电压。第二输入端子被输入正参考电压。以进行比较的方式设定正参考电压。差分对包括分别包括背栅极的第一n沟道晶体管及第二n沟道晶体管。第一输入端子与第一n沟道晶体管的背栅极电连接。第二输入端子与第二n沟道晶体管的栅极电连接。
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公开(公告)号：CN118696613A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021630.4
申请日：2023-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。存储装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第二电容器。第一电容器包括第一电极及第二电极。第二电容器包括第一电极及第三电极。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三电极电连接，第一电极具有与第二电极、第三电极、第一晶体管及第二晶体管重叠的部分且被供应固定电位或接地电位。
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公开(公告)号：CN118696612A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021550.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括具有第一至第三晶体管及电容器的存储单元。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一晶体管与第二晶体管间设置电容器。用作第一晶体管的源极或漏极的电极上设置有绝缘体，该绝缘体包括到达电极的开口。该开口内部设置有电容器。电容器的一个电极在开口内部具有与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个接触的区域。另外，电容器的一个电极具有与第二晶体管的栅电极接触的区域。
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公开(公告)号：CN113169382B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980077100.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/42 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H02J7/00
Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。
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公开(公告)号：CN118660478A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410671250.1
申请日：2019-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 濑尾哲史
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在发光层中将能量从主体材料高效地转移到客体材料且具有高可靠性的发光器件。本发明的一个方式是一种发光器件，其中，通过使发光层中的主体材料及客体材料的T1能级及S1能级在一定范围内，能够将能量从主体材料高效地转移到客体材料，并且可以提高可靠性。
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