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公开(公告)号：CN1929303A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128699.5
申请日：2006-09-08
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
Inventor： 理查德·C·卢比
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H3/04 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0407 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明公开了一种经温度补偿后的谐振器对。该经温度补偿后的谐振器对包括配置成在第一频率下谐振并且具有第一频率温度系数的第一谐振器，配置成在第二频率下谐振并且具有第二频率温度系数的第二谐振器。第二频率大于第一频率；第二频率温度系数小于第一频率温度系数，在共同的衬底上制造第一谐振器和第二谐振器。
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公开(公告)号：CN1794572B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510117370.4
申请日：2005-11-03
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: H03H9/173
Abstract: 一种声共振器，包括衬底、第一电极、压电材料层和第二电极。衬底具有第一表面并且第一电极与该表面相邻。压电材料层与第一电极相邻，第二电极与压电材料层相邻，且位于第一平面内并具有边缘。压电材料层具有相邻于第二电极边缘的凹槽结构。
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公开(公告)号：CN1845453B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200510124296.9
申请日：2005-11-29
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: H03H9/132 , H03H9/02149 , H03H9/13 , H03H9/173 , H03H9/175 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 一种声谐振器包括衬底、第一电极、压电材料层、第二电极和填充区。第一电极与衬底相邻，并且第一电极具有外周边。压电层与第一电极相邻。第二电极与压电层相邻，并且第二电极具有外周边。填充区在第一和第二电极之一中。其中，填充区减少或抑制了能量损耗。填充区还有助于从声谐振器的横向模式捕捉能量。
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公开(公告)号：CN102196347A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045682.4
申请日：2011-02-23
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: G10K11/025 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有声学换能器及放大器的封装装置。一种装置包括：引线框，其具有位于其中央部分内的孔；至少一个声学号角，其安装在孔上方的引线框上，并用于以较低信号损耗将声学能量与电信号相互转换；壳体，其连接至引线框，并包括位于引线框的与声学换能器相同一侧的基部；放大器设置在壳体的基部上接近声学换能器；以及盖体，其用于与壳体的基部一起界定腔，其中，声学换能器及放大器被紧密地布置在MEMS装置的腔内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1945987B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610144440.X
申请日：2006-10-06
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: H03H9/706
Abstract: 一种用于连接天线的双工器，包括天线端口；发射滤波器，包括有与天线端口耦合的第一天线端阻抗的体声波(BAW)谐振器；接收滤波器，包括有与天线端口耦合的第二天线端阻抗的BAW谐振器；及在天线端口和地面之间进行耦合的并联电感。并联电感与发射滤波器和接收滤波器的第一和第二天线端阻抗用以下方式进行选择，并联电感在史密斯图中相反方向上改变第一和第二输入阻抗。
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公开(公告)号：CN1736034B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN03825078.0
申请日：2003-09-04
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
Inventor： H·波赫约宁
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H03L7/099 , H03B5/326 , H03L7/1976
Abstract: 一种射频收发器(图1，1、11)，这种收发器具有至少一个射频集成芯片(1)，一个基准振荡器(图2，80)和一个锁相振荡器(图2，82)，它利用非晶体谐振器结构来代替晶体振荡器以便产生基准振荡器频率功能和锁相振荡器频率功能。包括体声波(BAW)谐振器的薄膜腔声谐振器(FBAR)结构与该RFIC单片集成或者倒装，从而减小了收发器的尺寸、重量和成本。该RF收发器可以是TDMA或CDMA收发器。
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公开(公告)号：CN1779932B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510117033.5
申请日：2005-10-28
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: H01L21/50 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L21/6835
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件和制作方法。提供第一晶片和具有器件的第二晶片。在第一晶片上形成有分离层。在分离层上形成有帽。利用衬垫键合帽和第二晶片。将第一晶片从帽分离，以形成包括帽、衬垫和第二晶片的半导体封装件。
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公开(公告)号：CN100578931C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200310114828.1
申请日：2003-11-07
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
CPC classification number: H03H9/175
Abstract: 块体波共振器，包括压电层有第一表面及相对于第一表面之一第二表面，第一电极设于压电层第一表面上，第二电极设于压电层第二表面上，基板，及音声反射器设于基板与第二电极之间，音声反射器包括从有高音声阻抗之材料及有低音声阻抗之材料制成之复数层，其中含有有高音声阻抗材料之层的区域与含有有低音声阻抗材料之层的区域被交替相邻设置。音声反射器之一性能由存在于块体波共振器中之一纵波在块体波共振器之共振频率之反射率以及存在于块体波共振器中之一剪切波在块体波共振器之共振频率之反射率所决定。音声反射器层及位于音声反射器及压电层之间的层参照其数目，材料及厚度被选择，在共振频率之区域中之纵波的透射率及剪切波的透射率小于-10dB。
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公开(公告)号：CN100559719C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN02827785.6
申请日：2002-02-04
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
IPC: H04B1/04
CPC classification number: H03F1/0233 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0288 , H03F1/32 , H03F3/24 , H03F2200/102 , H03F2200/198 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H04B2001/045
Abstract: 本发明涉及移动手持设备中的功率放大器，以提高功率放大器的效率和线性度特性。所述功率放大器通过以下方式来提高这些特性，控制峰值放大器的输入电压，从而根据从输出单元的输出功率的大小，在低输出功率方式下，使得功率放大器操作于多赫尔蒂方式，且使得在高输出功率方式下，峰值放大器的输入电压可增加到满足功率放大器的非线性操作要求的点。而且，由于仅控制峰值放大器的输入电压，可以用简单的方式来实现功率放大器。这样，功率放大器的尺寸变小，从而降低了功率放大器的成本。
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