公开(公告)号：CN100578931C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200310114828.1

申请日：2003-11-07

Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司

Inventor： S·马克斯泰恩纳 ,  G·法廷格 ,  R·阿格纳 ,  J·凯蒂拉

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/175

Abstract: 块体波共振器，包括压电层有第一表面及相对于第一表面之一第二表面，第一电极设于压电层第一表面上，第二电极设于压电层第二表面上，基板，及音声反射器设于基板与第二电极之间，音声反射器包括从有高音声阻抗之材料及有低音声阻抗之材料制成之复数层，其中含有有高音声阻抗材料之层的区域与含有有低音声阻抗材料之层的区域被交替相邻设置。音声反射器之一性能由存在于块体波共振器中之一纵波在块体波共振器之共振频率之反射率以及存在于块体波共振器中之一剪切波在块体波共振器之共振频率之反射率所决定。音声反射器层及位于音声反射器及压电层之间的层参照其数目，材料及厚度被选择，在共振频率之区域中之纵波的透射率及剪切波的透射率小于-10dB。