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公开(公告)号：CN112468134A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011150124.X
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H03K19/003
Abstract: 本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路，逻辑电路的生成方法包括：设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管；在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷，从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化，提高逻辑电路的性能。
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公开(公告)号：CN109348170B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811110449.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H04N7/18
Abstract: 本发明提供一种视频监控方法、装置及视频监控设备。其中，视频监控方法包括：包括：采集监控场所内传输的无线射频信号；根据所述无线射频信号监测是否有来访对象进入所述监控场所；当监测到有来访对象进入所述监控场所时，基于所述无线射频信号确定所述来访对象的方位信息；根据所述方位信息控制承载摄像头的云台转动以对所述来访对象进行拍摄。本发明可以利用无线射频信号实现对监控场所的全方位、无死角监测，当采用无线射频信号发现来访对象时，能够第一时间控制云台旋转以对来访对象进行拍摄，避免遗漏任何来访对象的监控画面，消除时空上的监控盲区。
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公开(公告)号：CN110176254B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910317941.0
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体，数据存储介质和探针，所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，其规则排列在导电基体表面；所述探针用于数据存储介质的数据的写入和/或读取；所述写入操作包括通过施加磁场改变自旋态可变分子层中有机分子的自旋态，所述读取操作包括检测出可变分子层中分子的自旋态；所述自旋可变有机分子为酞菁亚铁分子。本发明以酞菁亚铁分子为存储介质，通过改变施加磁场的强弱控制分子自旋态的转变，实现了信息的单分子写入，通过探针检测自旋态可以实现信息的单分子读取，从而达到利用磁场调控分子自旋态进行信息存储的目的。
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公开(公告)号：CN111913700A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010587222.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种云-端交互协议分析方法，包括：获取与应用行为相关的应用服务函数执行序列的堆栈信息；将所述堆栈信息输入预设的相似度分析模型进行特征分析，得到云-端交互协议函数的执行序列；获取云-端交互协议函数的执行序列依赖的对象；遍历分析所述对象的变量，得到云-端交互协议参数的必要集合；根据所述参数的必要集合以及预设交互模板，完成接口互操作。本发明可以得到云-端交互协议函数的执行序列，根据云-端交互协议函数的执行序列获取相关参数，进行参数分析，能够快速分析云-端交互协议，帮助开发者分析生成Android应用互操作接口，实现接口数据开放。
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公开(公告)号：CN108881749B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810241809.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于相关双采样的像素单元电路及其相关双采样方法，属于集成电路技术领域。所述像素单元电路包括：积分电路、相关双采样电路和源跟随器电路；相关双采样电路包括采样开关、第一电容、第二电容和第一复位开关；积分电路的输出端与采样开关的输入端相连，采样开关的输出端分别与第一电容的一端、第二电容的一端相连，第一电容的另一端接地，第二电容的另一端分别与第一复位开关的输出端、源跟随器电路的输入端相连，第一复位开关的输入端与第一复位电压相连。本发明中的单元像素电路，整体结构简单，其中的相关双采样电路不仅有效的抑制了积分电容的KTC噪声和积分运算放大器的1/f噪声，提高了信噪比，而且时序控制易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107437944B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710600456.5
申请日：2017-07-21
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H03M1/40
Abstract: 本发明公开了一种带片内数字自校准的电容型逐次逼近模数转换器及其自校准方法。本发明包括权重寄存器、电容型SAR ADC和校准单元；其中校准单元包括sigma‑delta ADC、采样保持电路、数字校准电路；该采样保持电路的输入端与信号输入端连接，该采样电路的输出端经该sigma‑delta ADC与该数字校准电路连接；该电容型SAR ADC的比较器输出端与该数字校准电路连接；该数字校准电路与该权重寄存器连接，用于根据D1、D2对该权重寄存器中的权重值进行更新；该权重寄存器与该电容型SAR ADC的比较器输出端连接。本发明提高了模数转换电路的有效位数，降低了校准电路的面积开销。
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公开(公告)号：CN106649557B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201610984538.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G06F16/31 , G06F16/35 , G06F40/30 , G06F16/951
Abstract: 本发明公开了一种缺陷报告与邮件列表语义关联挖掘方法。本方法为：1)对获取的目标项目的缺陷报告与邮件列表进行解析，得到缺陷报告的堆栈信息、代码片段、正文文本和邮件列表的堆栈信息、代码片段、正文文本；2)文档显式语义关联挖掘单元根据解析结果识别缺陷报告和邮件列表之间的显式语义关联，包括引用关联和共同代码元素关联；3)文档隐式语义关联挖掘单元根据解析结果识别缺陷报告和邮件列表之间的隐式语义关联，包括相似关联和潜在语义关联。本发明有利于高效地定位相关的缺陷报告与邮件列表，帮助开发人员更好地复用软件资源。
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公开(公告)号：CN109379707B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811011774.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种基于无线信号的室内目标活动区域识别方法及系统，属于室内目标活动区域识别技术领域。所述方法包括：对室内环境部署多个WIFI信号收发设备对，将室内环境划分为多个区域，WIFI信号收发设备对包括发射设备和接收设备；通过各发射设备向对应的接收设备发送数据包，并采集各接收设备对应的信道状态信息；根据采集的信道状态信息计算各接收设备对应的目标反射信号的第一多普勒速度；根据计算的第一多普勒速度识别目标所在的区域。本申请中，实现了在室内多区域中进行非接触式的目标活动区域识别，针对不同的部署环境和系统拷贝，均不需要离线学习和校准，也不需要更改商用WIFI网卡的任何硬件，部署方便，可操作性强。
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公开(公告)号：CN106610873B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201611012038.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种Android设备上应用程序能耗预测方法。该方法包括：1)通过全系统模拟软件运行Android系统，并安装应用程序；2)记录系统状态并运行应用程序，收集开启的线程的信息；3)通过Android系统重现记录的操作序列的执行顺序；以每次进程调度为单位记录每一个预设的时间段中应用程序的能耗数据；4)对每个线程标注其运行时间，迭代处理步骤3)，直到每一轮迭代得到的能耗数据的差值小于一设定的阈值时停止迭代，得到应用程序能耗预测结果。本发明能够在不需要使用物理设备的基础上，给定系统版本和设备类型，测量Android系统中应用的运行时能耗。
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公开(公告)号：CN111392688A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010121652.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请实施例中提供了一种基于阳极键合的封装装置及方法，本申请基于阳极键合的封装装置包括玻璃片部、硅片部，所述玻璃片部与所述硅片部构成封装空腔，封装空腔内部的硅片上设置有芯片，芯片连接电极一端，电极另一端设置于玻璃片部与硅片部的接触面处；具体的，玻璃片部的内部设置有导电通道，导电通道的第一开口设置于接触面的电极处，导电通道的第二开口设置于玻璃片部的外表面；导电通道内设置有导电介质，导电介质通过第一开口连接所述电极，通过第二开口连接外部电路。本申请避免了电极裸露在大气内，解决了因键合界面缝隙暴露在空气中而影响封装空腔真空度的问题。
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