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公开(公告)号：CN111141448B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010019531.0
申请日：2020-01-08
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法，包括：位于同一衬底上的电子源和多个环形电极；所述电子源，用于发射电子；多个所述环形电极环绕在所述电子源外，用于根据输入电压，对所述电子施加正偏压，收集电子，确定电子电流，或对离子施加负偏压，收集离子，确定离子电流。使用位于同一衬底上的电子源和多个环形电极能够减小电离真空传感器的体积和质量；使用片上电子源能够降低耗能和产热，从而减少放气；通过从多个环绕在所述电子源外的环形电极中选择两个，能够选择量程范围；由于能够采用微纳加工的加工方式大批量的制备，因此能够提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113184796A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110305625.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件及其制造方法。微机电系统器件包括第一晶片、第二晶片、工作元件及电极等。工作元件形成于第一晶片上，第二晶片与第一晶片键合连接；第二晶片具有腔体结构，该工作元件处于腔体结构内，电极贯穿设置于键合界面上；电极与工作元件连接。该制造方法包括：提供第一晶片和具有腔体结构的第二晶片，在第一晶片上形成工作元件，在第一晶片上制备与工作元件连接的电极，将第二晶片与第一晶片键合连接，并使电极贯穿于第一晶片与第二晶片的键合界面上，以及使工作元件设置于腔体结构内。本发明保证微机电系统器件的工作元件处在真空环境内，使微机电系统器件具有更高的灵敏度、精确性以及稳定性，提高了器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN116230474A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310209269.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明涉及射线设备技术领域，具体涉及一种射线源装置。本发明旨在解决现有射线源装置的辐照效率低的技术问题。为此目的，本发明提供了一种射线源装置，射线源装置包括：密封管，密封管的内部形成有密封容纳腔；射线发生器，射线发生器设置于密封管并向密封容纳腔发射射线；硅胶体，硅胶体包覆于密封管与射线发生器之间的连接处。本发明提供的射线源装置通过在射线源装置的导线和电极的外露部分包覆硅胶体，防止两个电极间的高压击穿放电，相较于现有的将射线源装置整体浸没于介质油层的绝缘方案，本发明能够减少射线的非弹性散射量和被吸收量，提高了射线源装置的辐照效率和能量效率，实现了高性能和高效率的射线源装置的制备。
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公开(公告)号：CN111613499B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010345082.9
申请日：2020-04-27
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H01J9/04 , H01J37/075 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。
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公开(公告)号：CN111613499A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010345082.9
申请日：2020-04-27
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H01J9/04 , H01J37/075 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116280421A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310206698.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明具体涉及一种真空封装装置。本发明旨在解决现有真空封装装置无法有效兼顾封装气密性与封装真空度的技术问题。为此目的，本发明提供了一种真空封装装置，用于将封装件封装至待封装件，真空封装装置包括：真空腔室；设置于真空腔室的封装夹具，封装夹具的内部形成有具有开口并与真空腔室连通的封装空间，待封装件放置于封装空间，封装夹具靠近开口的侧壁设置有放置封装件的弹性凸起；施力机构，施力机构设置于封装夹具的开口处，并能够通过开口伸至封装空间以驱动封装件越过弹性凸起后封装至待封装件。本发明的真空封装装置能够在封装件与待封装件之间的真空度满足要求后，再将封装件封装至待封装件，以此有效地兼顾封装气密性与封装真空度。
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公开(公告)号：CN111392688A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010121652.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请实施例中提供了一种基于阳极键合的封装装置及方法，本申请基于阳极键合的封装装置包括玻璃片部、硅片部，所述玻璃片部与所述硅片部构成封装空腔，封装空腔内部的硅片上设置有芯片，芯片连接电极一端，电极另一端设置于玻璃片部与硅片部的接触面处；具体的，玻璃片部的内部设置有导电通道，导电通道的第一开口设置于接触面的电极处，导电通道的第二开口设置于玻璃片部的外表面；导电通道内设置有导电介质，导电介质通过第一开口连接所述电极，通过第二开口连接外部电路。本申请避免了电极裸露在大气内，解决了因键合界面缝隙暴露在空气中而影响封装空腔真空度的问题。
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公开(公告)号：CN111141448A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010019531.0
申请日：2020-01-08
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G01L21/30
Abstract: 本申请公开了一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法，包括：位于同一衬底上的电子源和多个环形电极；所述电子源，用于发射电子；多个所述环形电极环绕在所述电子源外，用于根据输入电压，对所述电子施加正偏压，收集电子，确定电子电流，或对离子施加负偏压，收集离子，确定离子电流。使用位于同一衬底上的电子源和多个环形电极能够减小电离真空传感器的体积和质量；使用片上电子源能够降低耗能和产热，从而减少放气；通过从多个环绕在所述电子源外的环形电极中选择两个，能够选择量程范围；由于能够采用微纳加工的加工方式大批量的制备，因此能够提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113791316A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110896759.2
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种高电压击穿测量装置，属于材料性能检测的领域，包括绝缘板、绝缘柱、金属柱和金属片，绝缘板至少设置两块，两块绝缘板包括第一绝缘板和第二绝缘板；绝缘柱穿过两块绝缘板设置；金属柱穿过第一绝缘板，金属柱的底端与第二绝缘板抵接，且金属柱的顶端超出第一绝缘板设置；金属片设置在第二绝缘板上，用于连接地线，样品设置在金属片上，且金属柱的底端与样品抵接。本发明具有解决样品测量装置结构复杂、操作复杂及成本高问题的效果。
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公开(公告)号：CN111377396A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010121601.3
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本申请实施例中提供了一种基于阳极键合的封装装置及方法，封装装置包括玻璃片部以及硅片部，玻璃片部与硅片部构成封装空腔，封装空腔内部的硅片上设置有芯片，芯片连接电极，具体的，硅片部的内部设置有导电通道，导电通道的第一开口设置于硅片部与电极的接触面，导电通道的第二开口设置于硅片部的外表面；导电通道内设置有导电介质，导电介质通过第一开口连接电极，通过第二开口连接外部电路，导电通道内侧设置有绝缘层。本申请避免了电极裸露在大气内，解决了因键合界面缝隙暴露在空气中而影响封装空腔真空度的问题。
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