公开(公告)号：CN111613499B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202010345082.9

申请日：2020-04-27

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 赵振征 ,  刘文超 ,  魏贤龙

IPC: H01J9/04 ,  H01J37/075 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。

公开(公告)号：CN111613499A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010345082.9

申请日：2020-04-27

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 赵振征 ,  刘文超 ,  魏贤龙

IPC: H01J9/04 ,  H01J37/075 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。

公开(公告)号：CN113791316A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110896759.2

申请日：2021-08-05

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 赵振征 ,  魏贤龙 ,  郭等柱

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明涉及一种高电压击穿测量装置，属于材料性能检测的领域，包括绝缘板、绝缘柱、金属柱和金属片，绝缘板至少设置两块，两块绝缘板包括第一绝缘板和第二绝缘板；绝缘柱穿过两块绝缘板设置；金属柱穿过第一绝缘板，金属柱的底端与第二绝缘板抵接，且金属柱的顶端超出第一绝缘板设置；金属片设置在第二绝缘板上，用于连接地线，样品设置在金属片上，且金属柱的底端与样品抵接。本发明具有解决样品测量装置结构复杂、操作复杂及成本高问题的效果。