公开(公告)号：CN1774406A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010227.9

申请日：2004-02-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡边康夫 ,  高原弥

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1245 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种耐还原性的电介质瓷器组合物和可信度高的多层陶瓷电容器，上述组合物相对于{(Ca/Sr/Mg/Ba)O}m(Zr/Ti)O2构成的主成分100摩尔、含有不足7摩尔的V氧化物和不足15摩尔的Al氧化物、更优选含有不足5摩尔的Mn氧化物和不足20摩尔的复合氧化物{(Ba/Ca)O}vSiO2作为副成分(其中，0.8≤m≤1.3，0.5≤v≤4.0)，由此获得优良的低频介质特性，而且进一步提高了绝缘电阻的加速寿命。

公开(公告)号：CN1154624C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN01119630.0

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  渡边康夫 ,  福井隆史 ,  高桥三喜夫

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性的诸如片状电容器的电子器件。

公开(公告)号：CN1447780A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814363.6

申请日：2001-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1245 ,  C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含含有由组成分子式{(Ca1－xMex)O}·(Zr1－yTiy)O2表示的介电氧化物的主成分和包含选自V、Nb、W、Ta、Mo和Cr的氧化物以及在烧成后变成这些金属氧化物的化合物中的至少一种的第一辅助成分，其中，在所述主成分中包含的分子式中的符号Me是Sr、Mg和Ba的至少之一，符号m、x和y表示在所述主成分中包含的分子式中的组成摩尔比，其为0.8≤m≤1.3、0≤x≤1.00和0.1≤y≤0.8，并且第一辅助成分与100摩尔主成分的比例用氧化物中的金属元素表示满足0.01原子％≤第一辅助成分＜5原子％。

公开(公告)号：CN1316401A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01117885.X

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1－xCax)O}m，·(Ti1－yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性。