公开(公告)号：CN104681648A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410709226.9

申请日：2014-11-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁荣成 ,  崔正薰 ,  朴铉定

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。

公开(公告)号：CN104124302A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410165536.9

申请日：2014-04-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔敏镐 ,  朴铉定 ,  崔正薰

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的一个表面上；第一导电类型区域，该第一导电类型区域在隧穿层上；第二导电类型区域，该第二导电类型区域在隧穿层上，使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开；以及阻挡区域，该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间，使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。

公开(公告)号：CN101611497B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780046006.0

申请日：2007-07-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  金圣辰 ,  金振镐

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02167 ,  G02B1/113 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳电池包括：p-n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p-n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p-n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。

公开(公告)号：CN102163636A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010625042.6

申请日：2010-12-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  郑智元

IPC: H01L31/055 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L31/055 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明涉及使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括其中散布有纳米晶体的层，所述纳米晶体的材料具有对入射光能量的向下转换功能，该太阳能电池模块包括：多个包括至少一个光电转化层的太阳能电池；设置在所述多个太阳能电池的上表面上的至少一个透明部件；以及用于密封所述多个太阳能电池的填允层，其中，从所述至少一个透明部件和所述填充层中选择的至少一层包含所述半导体纳米晶体。

公开(公告)号：CN101931029A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207365.3

申请日：2010-06-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  李大龙 ,  崔荣嫮 ,  韩东昊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及制造太阳能电池的方法。一种用于制造太阳能电池的方法可以包括以下步骤：形成发射区，所述发射区与第一导电类型的半导体衬底形成p-n结；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成包含第一导电类型的杂质的掺杂层；以及通过将激光束照射在所述半导体衬底上以使所述第一导电类型的杂质扩散到所述半导体衬底中，在所述半导体衬底处局部地形成背面场区。