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公开(公告)号：CN118778260A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410868247.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G02B27/01
Abstract: 本发明公开了一种基于直视微纳显示屏阵列的仿生近眼显示系统，包括：仿生近眼显示系统包括：视力矫正光学镜片，视力矫正光学镜片上设置有透明微纳显示屏阵列，透明微纳显示屏阵列包括M个微纳显示屏，微纳显示屏的像素阵列为m×n；用于采集用户数据和环境数据的传感器模块；用于对微纳显示屏的光线进行光路调整的光学模块；用于供电的电源及光开关模块；用于控制驱动的驱动模块；用于调控微纳显示屏光线的光线调控模块。本发明通过多显示屏实现信息直显，深度、分辨率和刷新率可分区调节，视觉更健康的色彩融合，在提高近眼显示系统显示质量的同时减少能耗。
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公开(公告)号：CN118425725A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410537227.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州市福大微纳显示科技有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种光电器件阵列的高速检测设备及检测方法，高速检测设备包括：包含第一导电板的第一支撑平台，第一支撑平台用于承载待检测光电器件阵列，第一支撑平台搭载于支撑平台多轴位移机构上，第一支撑平台上方设置与第一导电板相对应的第一导电体，第一导电体搭载于导电体支撑架上，导电体支撑架与支撑架垂直三轴位移机构相连接，导电体上方设置有第一光学镜头，第一光学镜头搭载于光学垂直位移机构上，光学垂直位移机构内设置第一光路模块，第一光路模块与第一光学镜头相连接；高速检测设备还包括用于供电的电气模块和用于检测的成像光学显微模块。本发明通过调整各个部件的平行关系，使得检测结果更加精准可靠。
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公开(公告)号：CN111834389B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799243A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211569447.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。
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公开(公告)号：CN113684026B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202111084146.5
申请日：2021-09-16
Abstract: 本发明涉及一种基于阴离子交换合成全光谱钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：步骤S1:获取CsPbBr3钙钛矿量子点母液；步骤S2:将阴离子交换树脂分别与Cl离子和I离子的无机盐溶液混合，获取Cl型和I型阴离子交换树脂；步骤S3:将CsPbBr3钙钛矿量子点母液与Cl型和I型阴离子交换树脂分别按照预设比例混合，并进行进行纯化处理，分别得到实现绿色光谱至近紫色光谱转变的CsPbBrxCl3‑x和实现绿色光谱至红色光谱转变的CsPbBrxI3‑x。本发明采用阴离子交换树脂作为钙钛矿量子点阴离子交换的媒介，在不引入非发光杂质的前提下在全光谱范围内（400nm‑700nm）对荧光发射光谱实现纳米级精确调控。
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公开(公告)号：CN115386958A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211016598.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓纳米泡沫及其制备方法。氮化镓纳米泡沫是一种具有立体、无规则、超大比表面积的纳米蜂巢结构的氮化镓薄膜，其制备过程是将氮化镓薄膜浸泡在过氢氧化钾和过硫酸钾混合溶液中，在多个紫外光在多方向照射下通过无电极光辅助化学刻蚀制备获得。本发明公开的氮化镓纳米泡沫制备方法具有设备要求低、操作流程简单、生产周期时间短、环境干净等优点，可以超大规模集成微米级和亚微米量级泡沫而不用担心泡沫规格不统一等问题，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN112951103B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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