公开(公告)号：CN111121984A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911303312.9

申请日：2019-12-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玺 ,  马勇 ,  刘涛 ,  黎淼 ,  刘艺

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明涉及一种可双模式工作的雪崩光电探测器，属于传感器领域。包括可调电阻器R1，雪崩光电二极管APD，取样电阻Rs，低噪声放大器，多路开关1，线性放大器，计数器，信号处理器，数-模转换器，以及多路开关2；APD通过可调电阻器R1被偏置高压反向偏置，然后通过取样电阻Rs接到地端；通过取样电阻Rs，APD探测光子得到的电流信号，被转化为电压信号后，输入低噪声放大器；低噪声放大器提供一定的增益，提高信噪比和后端驱动能力，以免APD输出信号在后续处理中被引入的噪声淹没，便于后续处理。

公开(公告)号：CN110071194A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910280919.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玺 ,  黎淼 ,  李传波 ,  陈伟 ,  高新江 ,  张承 ,  黄超意 ,  何丰 ,  马勇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm-1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm-900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm-1700nm拓展到760nm-1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。

公开(公告)号：CN110060316A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910356591.9

申请日：2019-04-29

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黎淼 ,  曾弘宇 ,  谌放 ,  刘涵 ,  王韫睿 ,  周春颖

IPC: G06T11/00 ,  G06T7/13 ,  G06T7/11 ,  G06T5/00

Abstract: 本发明涉及一种用于CT重建中多区域分割的环伪影校正方法，属于图像处理技术领域。该方法包括以下步骤：S1：环伪影区划分；S2：创建直角坐标系；S3：针对不同区域设计识别滤波器；S4：滤波并将信息存储至两个矩阵；S5：伪影信息处理、校正和补充。本发明由于无需进行两次坐标变换，图像边缘不会出现严重的失真现象。同时通过将图像分成多区域进行校正，可大大缩短校正时间，且计算量相对于直接校正投影正弦图更小、方法流程较现有方法更加简便。在校正过程中加入了伪影及图像边缘识别区分的算法，很好的避免了非伪影被误认为伪影。由于该方法通过对像素值进行逐一校正，其校正相对于已有的滤波校正更为彻底。

公开(公告)号：CN307418809S

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202230202560.0

申请日：2022-04-12

Applicant: 重庆邮电大学

Designer： 张彦琦 ,  黎淼 ,  刘俊泽 ,  朱梦瑶 ,  高翊喆 ,  张磊 ,  张佳杰 ,  梁佳欣 ,  彭雪芬

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：碲锌镉多能谱探测器。
2.本外观设计产品的用途：用作医疗诊断设备CT扫描探测的核心零件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。