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公开(公告)号：CN109298438A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811165515.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN106501865B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610887587.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种边缘嵌套加权的稀疏成像方法，用于毫米波安检成像。步骤如下：(1)通过主动式雷达成像技术，获取3D后向散射数据；(2)将所述的3D后向散射数据进行纯随机采样；(3)在关于重构的三维毫米波安检图像Fi和空间频域分布Yi的矩阵拟合模型中，根据边缘位置的检测和边缘位置的支撑权重学习来判定是否为边缘，即加入关于三维重构图像Fi的全变差TV3D(Fi)；(4)进行最优化求解，最终得到三维安检重构图像Fi。本发明基于压缩感知(CS)理论上指出利用较少的非相干性采样数据较大概率的恢复出原始图像。而该算法是通过边缘位置检测以及边缘位置的支撑权重学习，进一步突破成像所需理论值，保证高质量的图像恢复的同时提高成像速度。
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公开(公告)号：CN103237353B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310187528.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及无线传感网络技术领域，具体涉及确保服务的保证时隙获取、分配方法及无线传感网络，本发明采用非竞争期CFP长度划分成若干个更小粒度的等长时隙，根据更小粒度的等长时隙获得传感器节点时隙长度，有效解决了GTS浪费的缺陷，打破了在一个超帧中最多只能有7个设备申请GTS的限制，并且引进GACK对传感器节点进行统一确认，避免网络协调器频繁发送确认帧ACK，引起过多的帧头部开销的缺陷，极大的提高无线传感器节点网络带宽利用率。
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公开(公告)号：CN110071194B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910280919.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm‑1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm‑900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm‑1700nm拓展到760nm‑1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN108306624A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711374991.X
申请日：2017-12-19
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种半导体碲锌镉探测器的高能X射线核脉冲准高斯整形放大电路，包括半导体碲锌镉探测器、50Ω匹配电路、增益放大电路、极零相消电路、基线恢复电路、滤波成形电路、50Ω线性驱动电路以及电源滤波电路；本发明优点在于：在整个成型系统设计上，通过加入极零相消电路，减小下冲对信号的影响，将偏移的信号拉回原位，保持信号的完整性。通过频率因子和幅度因子进行参数变换，使信号的幅度得以放大，提高电路带负载能力，输出的波形更接近高斯波形，使系统的信噪比最佳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106501865A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610887587.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种边缘嵌套加权的稀疏成像方法，用于毫米波安检成像。步骤如下：(1)通过主动式雷达成像技术，获取3D后向散射数据；(2)将所述的3D后向散射数据进行纯随机采样；(3)在关于重构的三维毫米波安检图像Fi和空间频域分布Yi的矩阵拟合模型中，根据边缘位置的检测和边缘位置的支撑权重学习来判定是否为边缘，即加入关于三维重构图像Fi的全变差TV3D(Fi)；(4)进行最优化求解，最终得到三维安检重构图像Fi。本发明基于压缩感知(CS)理论上指出利用较少的非相干性采样数据较大概率的恢复出原始图像。而该算法是通过边缘位置检测以及边缘位置的支撑权重学习，进一步突破成像所需理论值，保证高质量的图像恢复的同时提高成像速度。
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公开(公告)号：CN111464027B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010500518.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了融合开关电源和线性电源的可编程数字电源系统及方法，该系统包括前级的预调节模块和后级的线性稳压模块，所述预调节模块输入侧接入输入电压信号，所述预调节模块输出侧连接线性稳压模块，线性稳压模块的输出侧通过编程输出连接线性稳压模块；同时，线性稳压模块的输出侧还连接预调节模块，线性稳压模块的输出作为预调节模块的反馈指导；前级的预调节模块，用于高效地降低输入电压、跟踪输出电压和监控电流；预调节模块采用降压Buck拓扑，通过脉冲宽度调制PWM控制方法控制输出电压；后级的线性调节模块采用基于MOSFET的分离式线性稳压结构，用于降低输出电压的纹波和隔离前级的预调节模块的噪声，实现精度电压输出。
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公开(公告)号：CN111464027A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010500518.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了融合开关电源和线性电源的可编程数字电源系统及方法，该系统包括前级的预调节模块和后级的线性稳压模块，所述预调节模块输入侧接入输入电压信号，所述预调节模块输出侧连接线性稳压模块，线性稳压模块的输出侧通过编程输出连接线性稳压模块；同时，线性稳压模块的输出侧还连接预调节模块，线性稳压模块的输出作为预调节模块的反馈指导；前级的预调节模块，用于高效地降低输入电压、跟踪输出电压和监控电流；预调节模块采用降压Buck拓扑，通过脉冲宽度调制PWM控制方法控制输出电压；后级的线性调节模块采用基于MOSFET的分离式线性稳压结构，用于降低输出电压的纹波和隔离前级的预调节模块的噪声，实现精度电压输出。
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公开(公告)号：CN103237353A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310187528.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及无线传感网络技术领域，具体涉及确保服务的保证时隙获取、分配方法及无线传感网络，本发明采用非竞争期CFP长度划分成若干个更小粒度的等长时隙，根据更小粒度的等长时隙获得传感器节点时隙长度，有效解决了GTS浪费的缺陷，打破了在一个超帧中最多只能有7个设备申请GTS的限制，并且引进GACK对传感器节点进行统一确认，避免网络协调器频繁发送确认帧ACK，引起过多的帧头部开销的缺陷，极大的提高无线传感器节点网络带宽利用率。
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公开(公告)号：CN109298438B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811165515.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
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