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公开(公告)号:CN118363189A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410446892.1
申请日:2024-04-15
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料和VO2的可调谐太赫兹分波器,由单元结构沿x、y方向周期性排列而成;其中,单元结构为正方体形状,包括:介质层、金属图案层和VO2结构层;金属图案层位于介质层上表面;VO2结构层位于介质层下表面;其中,金属图案层包括闭口方环结构和第一条带结构;第一条带结构位于闭口方环结构的中间,与闭口方环结构其中两边平行;且第一条带结构的长大于闭口方环结构的边长,将闭口方环结构平均分成两部分;VO2结构层包括第二条带结构;第一条带结构和第二条带结构均为“一”字型长方体形状。本发明通过在超材料结构中加入相变材料VO2实现可调谐,可实现在一个器件上将三种不同频率的太赫兹波分离,提高了单个器件的信道容量。
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公开(公告)号:CN113267465B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202110521855.9
申请日:2021-05-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01 , G01J3/42 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开一种基于时域光谱技术的太赫兹双模式成像系统及方法,飞秒激光发射端产生的脉冲激光分成泵浦激光和探测激光,泵浦激光经过延迟后聚焦照射在太赫兹发射端产生太赫兹波,探测激光分成远场成像探测激光和近场成像探测激光经,远场成像探测激光聚焦照射在可移动第二光导探测端,近场成像探测激光聚焦照射在可移动第一光导探测端;太赫兹波经准直聚焦后穿过样品照射在可移动第一光导探测端上;照射在可移动第一光导探测端上的太赫兹波可以通过切换通道准直聚焦后照射在可移动第二光导探测端上,本发明基于现有的太赫兹成像系统的改进,解决了太赫兹成像系统单模式成像、对样品信息探测得不全面和成像分辨率低的问题。
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公开(公告)号:CN115566520A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211324829.8
申请日:2022-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自选模自注入反馈单频激光器,包括泵浦源、耦合系统、输入耦合镜、激光晶体、输出耦合镜、全反射腔镜组、反射型温度体全息布拉格光栅和半导体制冷器件。通过内腔环形振荡器和外腔反射型温度体全息布拉格光栅共同构成复合腔振荡器,由反射型温度体全息布拉格光栅以恒定的共振衍射效率对入射激光进行模式自选择后再以恒定激光强度注入环形振荡器,实现复合腔环形振荡器稳定的单向运转,解决了复合腔激光器结构不稳定性的问题。极大地增加了腔内振荡光子的寿命,使输出激光具备高效率、低噪声、窄线宽的特性。
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公开(公告)号:CN113410595B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110319943.0
申请日:2021-03-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器,其由若干个“方环‑四开口环”型矩形周期单元呈周期性排列组成,该矩形周期单元共有两层,由上至下分别是金属图案层、介质基底层,金属图案层紧贴在介质层表面,金属图案层为一个外方环加一个内四开口环,所述外方环为设置于外围的第一正方形环组成,内四开口环包括一个设置于第一正方形环内部且同轴同心的第二正方形环、以及四个连通并穿过第一正方形环和第二正方形环的长方形构成,四个长方形设置于第一正方形环和第二正方形环的四个中点位置处,且四个长方形互相之间不相交,太赫兹波斜入射到金属图案层时,会激发LC谐振,实现对斜入射波的滤波作用。
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公开(公告)号:CN113394647B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202110712943.7
申请日:2021-06-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于线偏压位置的太赫兹波相位调控系统,激光发生装置发出入射激光脉冲,入射激光脉冲经过脉宽和能量调节装置进行脉冲调节和能量调节后分成两束激光:一束作为探测激光经过探测激光路的时间延迟并聚焦到达太赫兹探测器;一束作为泵浦激光进入具有线高压装置的泵浦激光路后形成等离子体通道,具有线高压装置的泵浦激光路对等离子体通道不同位置加载电场,等离子体通道辐射出太赫兹波经聚焦后到达太赫兹探测器;通过线高压装置对等离子体通道不同位置加载电场,从而对太赫兹波相位进行调控,制作工艺简单,成本较低,在太赫兹波的辐射源头进行调控,对太赫兹波相位调控具精准,调控效果较好。
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公开(公告)号:CN110676330B
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN201910973410.7
申请日:2019-10-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明请求保护一种光敏台面与N接触台面之间光隔离的低功耗波导光探测器结构,该结构将光波导与光电二极管集成在半绝缘衬底上。其中光电二极管具有优化的能带结构、参杂分布和外延层厚度,主要包括具有线性梯度掺杂分布的非耗尽P型光吸收层,具有线性梯度掺杂分布的N型电子收集层(非光吸收层),以及在吸收层和收集层之间的具有三明治偶极掺杂分布的带隙渐变间隔层。通过在N台面上制作沟槽并沉积上金属薄膜电极将光敏台面与N接触台面进行光隔离,从而提高光波导对光的限制;在光波导的尾端制作一个与N台面隔离的台面并沉积上金属薄膜作为光反射镜,从而提高器件的有效吸收长度,是一种缓解光探测器带宽和量子效率相互制约的技术方案。
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公开(公告)号:CN112987345A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110350364.2
申请日:2021-03-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法,每个调制单元包括两个开口的弓形超材料结构、高电子迁移率晶体管、十字形结构连通的第一栅极馈线和第二栅极馈线和源漏馈线,两个弓形超材料结构关于第一栅极馈线对称,弓形超材料结构的开口处匹配高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接弓形超材料结构开口的两侧,高电子迁移率晶体管通过第二栅极馈线与肖特基电极连接,弓形超材料结构通过源漏馈线与欧姆电极连接,采用弓形超材料结构开口,通过外加激励可控制HEMT中的二维电子气的浓度,可控制太赫兹波的通断,器件对极化方向x和y的太赫兹波不敏感,在220GHz处的调制器的调制深度均为93%。
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公开(公告)号:CN111884593B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202010772341.6
申请日:2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法,包括:半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层,外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极;所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成,调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成,结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极,高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧,结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换,实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅,结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。
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公开(公告)号:CN111830599A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN202010771776.9
申请日:2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明公开一种应用于6G波分复用系统的太赫兹分波器及其制作方法,本发明结构包括图案层和介质层,图案层由N×N个双开口方环结构单元周期性排列组成,图案层紧贴于介质层表面;所述双开口方环结构单元由一个双开口方环和一个金属线组成,所述金属线位于双开口方环的开口位置;本发明由简单的图案层和介质层构成,图案层采用单层超材料结构作为分波器的物理结构,根据实际应用要求,通过设计超材料单元结构,可将分波器的工作频率设计到所需的频率点;本发明具有体积小、结构简单易加工、易集成的特点,相较于光子晶体更易加工,更适合大规模推广应用,且在0.120THz与0.300THz两个通信窗口,太赫兹分波器的分离效果较好,隔离度大,损耗较小。
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公开(公告)号:CN110277648B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201910655580.0
申请日:2019-07-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构,具有中心对称裂环结构的透射型超曲面,用于产生各种谐振模式,包括衬底介质基板,所述衬底介质基板上设置有金属结构,所述金属结构由多个十字金属谐振单元周期性排列组成,每个十字金属谐振单元包括正方形外框和十字形格栅结构,所述十字形格栅结构为正方形外框内部设置的十字形且中心处被隔断的格栅。无论是LC谐振还是偶极谐振,几何结构的振动对谐振频率和传输振幅的影响都很小。在TE和TM激励下,透射率结果一致,具有偏振不敏感的特点,可用于提高无偏振入射光高速调制器的调制深度。由于高阶谐振模的激励,本发明还可以在高灵敏度生物检测和窄带滤波等各种环境中得到运用。
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