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公开(公告)号：CN115602094B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211302316.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。该GOA电路包括双边驱动的N级级联设置的GOA单元，第n级GOA单元包括11个薄膜晶体管以及两个自举电容。在GOA电路中通过在第一薄膜晶体管漏级与第一节点之间设置第七薄膜晶体管，抬高第三节点电位，使第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭，抑制第一节点漏电；通过在第六薄膜晶体管与启动信号之间增加第二电容，利用第二电容耦合效应，使第二节点电位下拉到低于恒压低电平信号电位，使第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管完全关闭，抑制输出信号漏电。双边驱动GOA电路单侧只需要两根时钟信号线，两根恒压电平信号线，有利于GOA电路窄边框化。
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公开(公告)号：CN109298438B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811165515.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN114927098B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210492091.X
申请日：2022-05-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G09G3/3225
Abstract: 本发明涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法，属于电子电路领域。该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流；该像素驱动电路通过扫描阶段完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，从而补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机发光二极管阈值电压的衰减对像素电路产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了LTPO屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的扫描阶段和驱动阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。
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公开(公告)号：CN112419983B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011388773.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3291 , G09G3/3266
Abstract: 本发明涉及一种新型AMOLED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域。该像素驱动电路通过直接抓取补偿薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过第二电容和第三电容的并联将有机发光二极管的电压施加至节点B进行迁移率补偿；通过外部施加电压控制驱动薄膜晶体管的栅极和源极电压来避免IR Drop的影响，通过补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压、迁移率和IR Drop，使得流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度，以及显示的均匀性，提升了OLED的显示质量；本发明提升了工作效率，通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了有机发光二极管不必要的发光，降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112038216A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010936611.2
申请日：2020-09-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种P型非晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S1：以碘化亚铜CuI溶解于浓度大于20％的浓氨水，而四碘化锡SnI4溶解于乙醇或异丙醇，分别形成对应的前驱体溶液；然后将两种不同前驱体溶液按不同体积比混合成需要的Cu和Sn摩尔比的CuSnIx前驱体溶液；S2：将不同体积比的CuSnIx前驱体溶液通过旋涂或打印方式涂覆于基板上，然后通过加热、光照等退火方式形成需要的摩尔比CuSnIx半导体薄膜。解决溶液法制备P型半导体薄膜及其器件，实现低成本制备。解决目前P型半导体薄膜为多晶态问题，实现大面积制备均匀非晶态半导体薄膜的问题。
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公开(公告)号：CN112089429B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010986770.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习算法骨密度仪诊断系统，属于医疗信息化领域。使用较多个线性变换对数据进行多维抽象处理，将原始图像的浅层信息调整重新组合为多个浅层信息，实现得到具有抽样性和代表性的高级信息。通过组合利用高级信息，反映了原始图片的内在联系和根本本质，在分割骨骼区域时，能够将血管和骨骼的特征区别开，将附着在骨骼上的血管划分出去，深度学习的图像分割比传统的图像分割可以更好的提取全局特征和结合上下层信息。提高可靠性和抗噪能力。基于深度学习的图像分割具有强大的特征提取能力，能够将提取到的特征结合局部和全局的特征。提高划分感兴趣区域的准确性。
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公开(公告)号：CN112089429A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010986770.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习算法骨密度仪诊断系统，属于医疗信息化领域。使用较多个线性变换对数据进行多维抽象处理，将原始图像的浅层信息调整重新组合为多个浅层信息，实现得到具有抽样性和代表性的高级信息。通过组合利用高级信息，反映了原始图片的内在联系和根本本质，在分割骨骼区域时，能够将血管和骨骼的特征区别开，将附着在骨骼上的血管划分出去，深度学习的图像分割比传统的图像分割可以更好的提取全局特征和结合上下层信息。提高可靠性和抗噪能力。基于深度学习的图像分割具有强大的特征提取能力，能够将提取到的特征结合局部和全局的特征。提高划分感兴趣区域的准确性。
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公开(公告)号：CN120015634A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510261787.5
申请日：2025-03-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锡基钙钛矿薄膜晶体管的封装方法，旨在解决钙钛矿薄膜晶体在应用中环境稳定性差的问题。本发明通过旋涂并退火处理制备FAPEASnI薄膜，在FAPEASnI薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成有机封装层，采用ALD技术在PMMA层上生长氧化铝(Al2O3)无机封装层。本发明显著提升了锡基钙钛矿薄膜晶体管的环境稳定性和使用寿命，有效阻挡水分和氧气侵蚀，保持良好的电学性能。该方法材料和工艺简便，生产成本低，具备工业化应用潜力，推动了锡基钙钛矿材料在光电领域的发展。
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公开(公告)号：CN116453443A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310424403.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。其中GOA电路由N级级联设置的GOA单元构成，第一级GOA单元由启动信号SIN启动，第n级GOA单元由第n‑1级GOA单元的输出信号Cout(n‑1)启动。在级联设置的GOA单元中，奇数级GOA单元接入第一时钟信号SCLK1、第二时钟信号SCLK2作为控制信号，偶数级GOA单元接入第三时钟信号SCLK3、第四时钟信号SCLK4作为控制信号。本发明中GOA单元搭配有特定驱动时序，可以使输出信号快速充电，同时能够解决传统GOA电路直流驱动充电缓慢而无法实现全摆幅输出的问题以及输出信号漏电问题。
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