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公开(公告)号：CN109786472A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910156443.2
申请日：2019-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。
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公开(公告)号：CN109768092A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910157115.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件制造方法，包括：提供衬底及第一掺杂层，在所述第一掺杂层表面进行掺杂并形成第二掺杂层；在所述第二掺杂层上进行刻蚀并形成器件沟槽；在所述器件沟槽内堆叠栅极；以及在所述第一掺杂层上堆叠肖特基势垒层以及金属层；在不改变掩模版或者光刻胶位置以及不改变制程过程中光刻次数的情况下进行第二掺杂层掺杂，并形成PN结，降低了工艺难度，提高良品率；具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；而且第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。
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公开(公告)号：CN108682683A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810310103.6
申请日：2018-04-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0684 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种压结式电力电子二极管，包括P型层、P+型层、N+型层、N‑型层以及两端的铜基，P型层上靠近P+型层的表面设有凹槽，P+型层、P+型层与对应的铜基之间的焊锡、对应的铜基的内表面均设置为与P型层上的凹槽配套的形状。本发明还公开了一种压结式电力电子二极管的生产工艺，包括以下步骤：底片准备；凹槽蚀刻；离子注入；沟槽蚀刻；钝化处理；氧化膜烧结；光刻引线孔；表面金属化；将两端通过焊锡与铜基进行合金连接，形成压结式电力电子二极管。本发明所述压结式电力电子二极管P型层通过P+型层和焊锡与对应的铜基接触的表面面积更大，从而显著提升了电流通过能力、耐压性能和散热效果，扩展了电力电子二极管的应用范围。
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公开(公告)号：CN108573857A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810399395.5
申请日：2018-04-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性GPP芯片制备方法，包括如下步骤：1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；2)采用HF:HNO3:HAC混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀Ni-Si合金，镀完Ni-Si合金后再次镀Ni；7)测试；8)背面激光划片。本发明在玻璃表面用PECVD生长软氮化硅(Si3N4)，从而形成低漏电流、高压、耐潮湿性好、低应力的高可靠性1A～50A以及300～1800V GPP芯片，具有适应范围广、低成本、稳定性好以及高可靠等优点。
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公开(公告)号：CN105241540B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510645186.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法，该方法包括步骤：S1，获取一幅MEMS器件的运动模糊图像；S2，在模糊图像中选取感兴趣区；S3，对感兴趣区的模糊图像进行图像处理，具体是通过小波分解，对高频信号进行增强，低频信号进行减弱；S4，将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值；S5，获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线；S6，对S5获得的特征曲线计算其分形维数；S7，根据分形维数与振幅的拟合曲线，利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107359133A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710626742.9
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/329 , B21F1/00 , B21F5/00 , B21F11/00 , B21F23/00
CPC classification number: H01L21/67092 , B21F1/00 , B21F5/00 , B21F11/00 , B21F23/00 , H01L21/67703 , H01L21/68 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种二极管送料、打扁、切筋整形一体机，包括沿着导轨从前到后依次设置的自动送料部分、打扁部分和切筋整形部分；所述自动送料部分包括导料槽送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构；所述打扁部分包括沿着导轨从前到后设置的一次打扁部分和二次打扁部分；所述切筋整形部分包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构。将打扁、切筋整形集成到一台设备上完成，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，最后成型好的产品自动落到收料盒中。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107275274A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710626741.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/6776 , H01L21/4896
Abstract: 本发明公开了一种二极管自动送料机构，包括导料槽、送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构，导料槽用于叠放二极管料带，送料拨杆为水平杆，且水平杆的顶部前后间隔设置有能卡入二极管料带相邻二极管单元之间的拨齿，送料拨杆向后运动时，拨齿向上伸入导轨内并卡入二极管料带的相邻单元之间带动二极管料带向后运动，送料拨杆向前运动时，拨齿向下退出导轨并脱离二极管料带的上一个卡接点，如此往复实现接力方式推送二极管料带。该机构与打扁、切筋整形集成到一台设备上，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107275224A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710628043.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/4896 , H01L21/67703
Abstract: 本发明公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN103021886B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210541589.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/743
Abstract: 本发明公开了一种贴面封装二极管焊接工艺，其点胶、上芯和焊接流程采用以下方法：对多排下料片进行同时点胶，再完成上芯，然后把已经上芯的下料片放在焊接盘上；与此同时，对多排上料片进行同时点胶，点胶完成后，再将上料片放到焊接盘上的下料片上与芯片对应定位，然后盖上焊接盘盖，入焊接炉进行焊接。本发明还公开了一种多点点胶工装，包括用于盛装胶料的胶罐、用于输送胶料的胶管和多个用于挤出胶料的点胶针筒。本发明还公开了一种多点上芯工装，包括用于形成负压的负压罐、用于传递负压的负压管和多个用于吸附芯片的上芯针筒。本发明通过多点点胶工艺及工装、多点上芯工艺及工装，显著提高了贴面封装二极管焊接效率，可达12.5k/h.人以上。
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公开(公告)号：CN105203033A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510644305.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图像的MEMS面内位移测量方法，该方法包括以下步骤：S1，获取两幅图像；S2，在样本图像中选取样本子区f(x,y)，在目标图像中选取目标子区g(x,y)；S3，为提高处理的精度，对两幅子区图像进行分形插值处理；S4，将样本子区图像进行傅立叶变换；S5，将步骤S4中变换后的图像进行滤波，得到涡旋图像；S6，计算涡旋点偏心率参数和相位参数；S7，寻找最佳匹配，获得位移值。本发明解决了传统数字散斑中采用光学方法获取散斑图像需要激光光源同时对微小物体的散斑布放存在困难的问题，也解决了在进行相关运算计算量大，算法耗时较长，测量分辨率满足不了MEMS面内位移亚像素级测量要求的缺陷，能够提高测量精度和效率。
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