-
-
公开(公告)号：CN119154639A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411356184.5
申请日：2024-09-27
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种用于BOOT变换器的改进型hiccup模式短路保护电路，涉及开关电源技术领域，所述改进型hiccup模式短路保护电路由POWER_SEL（电源选择）模块、one‑shot（单状态）电路、PRE_CHARGE（预充电）模块、1:16 divider（十六分频器）、comp（比较器）以及电容C1，放电管M1组成；该用于BOOT变换器的改进型hiccup模式短路保护电路，每次检测时采用预充电模块对负载电容进行充电，电感电流是受到限制的，如果短路移除，则能顺利充电，没有移除则等待下一次检测，既解决了检测期间的大电流，也消除了重启时的overshoot，在短路期间引入了睡眠模式以及检测模式，间歇性地去试探短路状态，此时变换器工作在低频时钟下，大部分模块被关闭，只有少数器件在工作，从而能够极大地降低短路期间的功耗。
-
公开(公告)号：CN118939069A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411257461.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 重庆大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，涉及集成电路技术领域，包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路；所述启动电路包括PMOS管：PM3、PM4与PM5、NMOS管：NM1、NM2、NM3与NM4和电阻：R7、R8、R9与R10，所述基准核心电路包括PMOS管：PM1、PM2，NPN管：Q1、Q2和电阻：R1、R2、R3与R4，所述反馈电路包括PMOS管：PM6、PM7、PM8、PM9与PM10，NMOS管：NM5、NM6、NM7、NM8和电阻：R5与R6。该面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，具有功耗低、精度高和版图面积小的优点，可以为宽输入电压范围LDO提供高精度的基准电压和稳定的低压电源轨。
-
-
公开(公告)号：CN114092971A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111423509.3
申请日：2021-11-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及计算机视觉图像处理技术领域，具体涉及一种基于视觉图像的人体动作评估方法，包括：获取测试者的待测视频；对待测视频的视频帧进行骨架分析和姿态分析，生成对应的人体关键点坐标图；基于人体关键点坐标图结合相应的动作评估标准计算对应的动作评估辅助信息；基于动作评估辅助信息结合对应的动作评估决策依据完成动作评估，以生成对应的动作评估结果。本发明中的人体动作评估方法能够适用于多种动作评估，从而能够提升人体动作评估的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112903609A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110046326.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N21/31 , G01N21/3577 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开一种无需校正的双波长静脉血氧饱和度测量方法，包括以下步骤：通过DAC控制红光与红外光二极管发光，使用光频传感器接收透射光，将透光信号转换为对应的频率信号f，然后将得到的频率数据f和f′通过MCU上传到计算机中，再经过推导得到的公式计算即可得出血氧饱和度。本发明是解决了传统静脉血氧饱和度测量中的费时费力、步骤复杂、成本高等缺点，开发了一种简便、快速、准确的静脉氧饱和度测量方法。同时该方法可以实现实时测量静脉血氧饱和度，可应用于体外便携式测量器械。
-
公开(公告)号：CN107451565B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710647312.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种半监督小样本深度学习图像模式分类识别方法，属于图像识别领域。该方法包括步骤：S1：对图像样本进行预处理；S2：将预处理得到的数据输入训练好的网络中，网络通过3D卷积层进行特征提取，得到特征图层；S3：每个卷积层后接一个池化层，用于缩小特征图层的大小以减少网络中参数的数目；S4：将经过多层卷积层和池化层提取后的特征与一个全连接层相连，以提取和重新排列需要分类的特征；该层引入局部保邻的正则化操作；S5：输入待测样本，得到分类准确度。本发明利用了大量采集的无标签样本之间的位置相关性，提高了算法在小样本集合下的适用性与准确度。
-
公开(公告)号：CN108288649B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810137190.X
申请日：2018-02-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶体管使第一种导电类型和第二种导电类型的载流子分别在所述半导体第一漂移区和所述半导体第二漂移区中流动，同时通过所述半导体少子阻挡区阻挡第二种导电类型的载流子进入所述半导体第一漂移区中，从而避免在所述耐压层中形成电导调制。本发明达到了在超结MOSFET中实现了两种载流子同时参与导电且保证同时不形成电导调制的目的。
-
公开(公告)号：CN111082803A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911353443.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 重庆大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 本发明公开了集成电路设计技术领域的一种用于时钟数据复位电路的高速低功耗多数仲裁电路，包括鉴相部分和表决部分，所述鉴相部分包括第一鉴相器、第二鉴相器，所述表决部分包括第一表决电路和第二表决电路；所述第一鉴相器和第二鉴相器，用于将四个数据同时的输入，并对所述第一表决电路发送检测相位结果，本发明在完成相同相位检测和表决功能的前提下，保持极高的速度和较低的功耗；本发明创造性的提出高速低功耗表决电路消除对相位不操作的无效输出，大大减小了系统的功耗；简化了整体电路结构，提高了多数仲裁电路的速度，提升了时钟数据复位电路的整体性能，符合物联网对电子产品高速低功耗的要求。
-
公开(公告)号：CN108365006A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810137194.8
申请日：2018-02-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压，进一步通过设置半导体第二衬底区及半导体隔离区实现其在集成电路中的应用。本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.029 seconds)
