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公开(公告)号:CN112049675A
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN202010674694.2
申请日:2020-07-14
Applicant: 中电建路桥集团有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种隧道通风方法,其包括1)根据隧道工作状态给隧道内污染状态分级:2)设置变频风机为隧道送风,并将变频风机的工作状态按功率大小分为四种状态;3)在隧道内设置检测粉尘浓度的粉尘浓度传感器、一氧化碳传感器、氮氧化物传感器、以及汽车尾气传感器,控制器将粉尘浓度传感器、一氧化碳传感器、氮氧化物传感器和汽车尾气传感器的检测数据与判断标准进行比较,判断隧道当前处于那种污染状态,并根据当前隧道污染状态控制变频风机处于对应的工作状态。本发明将风机工作状态与隧道当前污染状态联系起来,使风机工作状态随隧道污染状态改变而改变,解决了固定功率通风存在的风机功率浪费或风机排污力不足的技术问题。
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公开(公告)号:CN105305970B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201510807984.9
申请日:2015-11-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class‑AB音频功率放大器,包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class‑AB第三级,所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接,所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接;所述电流折叠式第二级包括电流检测电路,所述电流检测电路用于检测推挽式Class‑AB第三级的输出电流信号,所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端,所述第一输出端和第二输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。本发明针对创造性地提出了动态跨导补偿方法。该方法能够降低小信号下的功放功耗,自动调节极点为第二级放大器提供动态跨导补偿。
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公开(公告)号:CN105404739A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510808575.0
申请日:2015-11-19
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F2217/14
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路,包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器,所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接,PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号;所述反相器的输出端作为整个电路的输出端,所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接,所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地,所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性,由于ID产生电路使用的晶体管的减少,从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转,因此,仅在读取数据的时候消耗极小的能量,使得此发明满足低功耗的要求,具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点,从而也降低了成本。
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公开(公告)号:CN105305970A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201510807984.9
申请日:2015-11-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器,包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class-AB第三级,所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接,所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class-AB第三级的输出端连接;所述电流折叠式第二级包括电流检测电路,所述电流检测电路用于检测推挽式Class-AB第三级的输出电流信号,所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端,所述第一输出端和第二输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。本发明针对创造性地提出了动态跨导补偿方法。该方法能够降低小信号下的功放功耗,自动调节极点为第二级放大器提供动态跨导补偿。
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公开(公告)号:CN105404739B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201510808575.0
申请日:2015-11-19
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路,包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器,所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接,PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号;所述反相器的输出端作为整个电路的输出端,所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接,所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地,所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性,由于ID产生电路使用的晶体管的减少,从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转,因此,仅在读取数据的时候消耗极小的能量,使得此发明满足低功耗的要求,具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点,从而也降低了成本。
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