公开(公告)号：CN105404739A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510808575.0

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  李世平 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  叶楷 ,  舒洲 ,  陈卓 ,  殷鹏 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F2217/14

Abstract: 本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性，由于ID产生电路使用的晶体管的减少，从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转，因此，仅在读取数据的时候消耗极小的能量，使得此发明满足低功耗的要求，具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点，从而也降低了成本。

公开(公告)号：CN105305970A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510807984.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  舒洲 ,  叶楷 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  李世平 ,  殷鹏 ,  陈卓 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class-AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接，所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class-AB第三级的输出端连接；所述电流折叠式第二级包括电流检测电路，所述电流检测电路用于检测推挽式Class-AB第三级的输出电流信号，所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述第一输出端和第二输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。本发明针对创造性地提出了动态跨导补偿方法。该方法能够降低小信号下的功放功耗，自动调节极点为第二级放大器提供动态跨导补偿。

公开(公告)号：CN114157306A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111482212.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  杨艳 ,  殷鹏 ,  钟代笛

IPC: H03M9/00 ,  G06F13/40

Abstract: 本发明公开了通讯技术领域的一种逗号检测与字节对齐的校正方法以及校正系统，所述的逗号检测与字节对齐的校正方法，包括如下步骤：步骤一、存储工作电路的输入数据；步骤二、按照预定条件将采集到的存储数据在逗号码阵列进行低翻转率下的完全匹配数据检测；步骤三、将逗号码阵列检测获得的字节边沿结果进行字节数据的校正，本发明通过控制逗号码的位宽来实现对翻转率的最优解，不仅保证了正常检测逗号码以及对字节边沿的校正，而且实现了整个逗号码阵列的功耗最低化，从而降低了逗号检测与字节对齐电路的功耗与面积，具有逗号检测与字节对齐的校正功耗低、字节数据校正准确等优点。

公开(公告)号：CN105404739B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510808575.0

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  李世平 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  叶楷 ,  舒洲 ,  陈卓 ,  殷鹏 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性，由于ID产生电路使用的晶体管的减少，从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转，因此，仅在读取数据的时候消耗极小的能量，使得此发明满足低功耗的要求，具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点，从而也降低了成本。

公开(公告)号：CN105245230B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201510810278.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  殷鹏 ,  陈卓 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  李世平 ,  叶楷 ,  舒洲 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: H03M1/12

Abstract: 本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MSB的周期运行的更快。所提出的电容缩放技术仅介绍了由于残留电压放大而产生的可忽略的额外的量化噪声，在0.18um的CMOS中硅也正是表现出此特性。

公开(公告)号：CN105305970B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201510807984.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  舒洲 ,  叶楷 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  李世平 ,  殷鹏 ,  陈卓 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class‑AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class‑AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接，所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接；所述电流折叠式第二级包括电流检测电路，所述电流检测电路用于检测推挽式Class‑AB第三级的输出电流信号，所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述第一输出端和第二输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。本发明针对创造性地提出了动态跨导补偿方法。该方法能够降低小信号下的功放功耗，自动调节极点为第二级放大器提供动态跨导补偿。

公开(公告)号：CN105245230A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510810278.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐枋 ,  殷鹏 ,  陈卓 ,  周喜川 ,  胡盛东 ,  甘平 ,  李世平 ,  叶楷 ,  舒洲 ,  陈银晖 ,  谭跃 ,  王忠杰 ,  黄莎琳 ,  李明东

IPC: H03M1/12

Abstract: 本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MSB的周期运行的更快。所提出的电容缩放技术仅介绍了由于残留电压放大而产生的可忽略的额外的量化噪声，在0.18um的CMOS中硅也正是表现出此特性。