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公开(公告)号：CN1866551A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510072890.8
申请日：2005-05-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种备有发光二极管的翻转侧置结构的发光装置，允许发射光的行进与其附着表面平行。一个或多个发光二极管晶粒以其侧表面面向基底表面，装设在此基底上。此发光装置还可结合基底上的光学突出物以形成一发光模块，用来反射和组合从发光二极管晶粒发射出的光。此发光装置不需要传统打线接合的程序。其封装结构也解决了发光二极管的散热问题。如有需求的话，静电保护电路可包含于此发光模块。本发明使得组合后的光有较佳均匀度及高强度，且可有想要的彩度。
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公开(公告)号：CN102221667B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201010151743.0
申请日：2010-04-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种二极管芯片的量测装置及量测方法。二极管芯片设置于热传导元件上。量测装置会先量测二极管芯片的瞬间启动电流，并量测热传导元件的对应于瞬间启动电流的第一温度。当二极管芯片开始操作之后，量测装置再将热传导元件的温度调整至第二温度，以使二极管芯片的电流等于上述的瞬间启动电流。量测装置依据二极管芯片的实功率以及第一温度和第二温度之间的温度差，计算二极管芯片的属性。
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公开(公告)号：CN102735707A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110121078.5
申请日：2011-05-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/18
Abstract: 本发明公开一种测试单元及其量测方法，该测试单元包括基底、至少一导电插塞、第一导线及第二导线。基底具有第一区及第二区。至少一导电插塞配置在第一区的基底中，其中导电插塞未贯穿基底。第一导线配置在第一区的导电插塞及基底上。第二导线配置在第二区的基底上。注意第一导线与第二导线具有相同的材料及形状。也提出上述测试单元的量测方法。
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公开(公告)号：CN102543911A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010616264.1
申请日：2010-12-30
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/38 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53276 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其包括一硅基板、多个硅纳米线束、一第一线路层以及一第二线路层。硅基板具有相对的一第一表面与一第二表面及多个贯孔。这些硅纳米线束分别配置于硅基板上的贯孔。第一线路层配置于第一表面并电连接硅纳米线束。第二线路层配置于第二表面并电连接硅纳米线束。
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公开(公告)号：CN101452901B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810187338.7
申请日：2006-04-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为一种具应力缓冲的微连凸块结构及其制造方法，该具应力缓冲的微连凸块结构包括有：一第一顶面，该第一顶面与基板及电子组件其中之一连接；一第二顶面，该第二顶面与基板及电子组件其中之一连接；一支撑体，连接于第一顶面与第二顶面之间，且该支撑体的二端表面积不大于第一顶面及第二顶面；一缓冲层，设置于支撑体的外部，以提供应力吸收及缓冲的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635293A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810149914.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN100469217C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510103959.9
申请日：2005-09-16
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种可挠式(flexible)散热基板，该可挠式散热基板包含一导热载板以及一散热鳍片；其中该导热载板上具有多个第一沟槽，这些第一沟槽之间形成一平台，用以承载至少一电子元件；而该散热鳍片则贴合于该导热载板的其中一侧，且该散热鳍片上同时具有多个第二沟槽，这些第二沟槽的位置与这些第一沟槽的位置相对应排列，其中所述第二沟槽的位置对应所述第一沟槽的位置。根据本发明的构想，这些第一与第二沟槽提供该可挠式电路基板弯折时的缓冲空间，以避免该可挠性散热基板因受弯折而产生破坏。
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公开(公告)号：CN100452452C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510072890.8
申请日：2005-05-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种备有发光二极管的翻转侧置结构的发光装置，允许发射光的行进与其附着表面平行。一个或多个发光二极管晶粒以其侧表面面向基底表面，装设在此基底上。此发光装置还可结合基底上的光学突出物以形成一发光模块，用来反射和组合从发光二极管晶粒发射出的光。此发光装置不需要传统打线接合的程序。其封装结构也解决了发光二极管的散热问题。如有需求的话，静电保护电路可包含于此发光模块。本发明使得组合后的光有较佳均匀度及高强度，且可有想要的彩度。
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公开(公告)号：CN101206387A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610167550.8
申请日：2006-12-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种透射液晶显示投射系统，包括发出均匀的白光束或是依照时序发出均匀的红/绿/蓝三光束的平面光源。第一偏振滤光片接收该平面光源，且偏振成为有一第一偏振态。液晶光阀接收偏振化的该平面光源，转换该第一偏振态，使具有对应的灰度的第二偏振态。第二偏振滤光片接收该液晶光阀的光输出，而得到第二偏振态光束。投射单元将该第二偏振态光束投射到显示面。又利用相同的平面光源，通过偏振分光元件以及液晶光阀，可实现反射式的投射系统。
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公开(公告)号：CN100367522C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510087045.8
申请日：2005-07-25
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种具有热电器件的发光二极管封装结构，应用于以芯片倒装焊接方式封装的发光二极管中，主要是将热电器件直接制作于发光二极管封装结构的锡球凸块层内，来取代一部分锡球凸块，借以有效提高发光二极管单元的散热效率，进而增进器件的发光稳定性与可靠度，并降低发光二极管封装整合上的困难与复杂度。
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