公开(公告)号：CN101627463B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780052132.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  矢野映

IPC: H01L21/3205 ,  C09D183/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125

Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101627463A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780052132.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  矢野映

IPC: H01L21/3205 ,  C09D183/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125

Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN100539114C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

公开(公告)号：CN100535054C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510128973.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/04 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si-O-Si键，Si-CH3键和Si-CHx-键，其中x代表0-2的整数。

公开(公告)号：CN1189927C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。