公开(公告)号：CN101414625A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810232525.2

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  杨翠 ,  过润秋 ,  马晓华 ,  张进成 ,  张金风

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种槽栅型栅－漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该槽栅(7)与栅场板(9)电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101414622A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810232524.8

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  毛维 ,  过润秋 ,  杨翠

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。