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公开(公告)号：CN102509763A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110341294.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102383085A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110342484.4
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，包括以下步骤：a、基带的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构NiW合金(200)基带(宽为10mm)，正反两面先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％-50％的硝酸溶液中悬空浸渍40-120s，取出洗净，双面晾干。再将其在150体积的氨水和1-4体积的双氧水配置的混合修饰液中悬空浸渍20-60s，取出，洗净，双面晾干；b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW合金(200)基带(宽为10mm)悬空放入内径大于10mm，小于13mm的陶瓷管中，再将陶瓷管推入管式气氛烧结炉中在氩气气氛中740-800℃温度条件下，氧化热处理20-50分钟，取出即得。该方法制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的双面NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。此外，本悬空放置于陶瓷管的方法也适合制备其它涂层导体的双面缓冲层或超导层。
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公开(公告)号：CN101281805A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810044628.6
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a.无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1－x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N－二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b.胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c.胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d.烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5－100℃/min的速度升至850℃－1150℃，保温0.25－2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150－200nm。
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公开(公告)号：CN101279741A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810044467.0
申请日：2008-05-28
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种制备二硼化镁超导材料的方法，一种制备二硼化镁超导材料的方法，其作法是：按摩尔比1∶0.7－2.5分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01－1称量掺杂物，掺杂物为柠檬酸或柠檬酸盐中的一种；将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合成混合粉末；然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为600℃－1200℃、保温时间0.5－12个小时，即得。该方法制备时间短，反应温度低，效率高，成本低，尤其适合于工业化生产；利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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公开(公告)号：CN105300567A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510608337.5
申请日：2015-09-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高梯度强磁场磁悬浮特性测试技术，在高梯度强磁场对超导块的多方面悬浮特性提供测试的平台。测试装置主要由超导磁体(10)构成的外磁场和置于超导磁体上方的测试支架构成；超导磁体(10)内置有两个结构完全相同的同轴超导磁体励磁线圈A(12)和超导磁体励磁线圈B(13),在两个超导励磁线圈中通以不同大小和方向的励磁电流时产生低磁场、强磁场以及梯度和强度可变的磁场位形。本发明可以在同一台装置上实现高梯度磁场、强磁场和变化磁场中高温超导块材的悬浮力和悬浮力弛豫测试，并且可以对高温超导块在交流磁扰动下的交流损耗进行测试，结构相对简单、操作方便，避免了现有某有技术中的测试内容单一、结构复杂、操作繁琐的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509764A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110342517.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将硝酸镧(La(NO3)3.6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4.5H2O)溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol，PEG-20000)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在双轴织构NiW合金基片上，随后放入烧结炉中烧结成相，即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得高品质的La2Zr2O7薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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公开(公告)号：CN102176349B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110009391.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法，涉及高温超导材料制备技术领域，该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性，能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤：将乙酸锶和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。
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公开(公告)号：CN101345103B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810045897.4
申请日：2008-08-27
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种铁基SmFeAsO1-xFx超导线材的制备方法，其操作步骤为：a、备料按制备铁基超导材料SmFeAsO1-xFx，0.15≤x≤0.35的化学计量比，称量原料SmAs，Fe，Fe2O3，FeF3，研磨、混合均匀后，装入钽管，填满、压紧，将钽管两端密封；b、制线材将钽管套入铜管并进行旋锻，然后拉拔成直径1.8～2.2mm的线材；c、烧结将线材置于石英管中真空密封后，放入烧结炉内，在惰性气体气氛保护下，以100～150℃/小时速率升温至1150～1170℃，保温36～50小时，然后随炉冷却。该方法工艺简单，便于工业化生产，制得的铁基SmFeAsO1-xFx超导线材致密、纯度高，超导性能稳定，超导转变温度高，上临界磁场高。
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公开(公告)号：CN101281806B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810044629.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b、胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d、烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5-100℃/min升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
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公开(公告)号：CN101281805B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810044628.6
申请日：2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。
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