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公开(公告)号：CN109332632A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811337855.8
申请日：2018-11-12
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司
IPC: B22D17/00
Abstract: 本发明涉及一种铝合金压铸坯锭的等温半固态组织浆料制备方法，首先采用压铸方法进行合金坯锭的预成型，从而有效破碎枝晶组织，获得晶粒细小的初生相，同时使组织内部存留一定的畸变能。然后将铝合金压铸坯锭加热到固-液两相区进行等温半固态热处理，通过调整等温热处理温度和保温时间，从而获得理想的半固态浆料。通过调整压铸工艺，改变合金坯锭后续等温半固态热处理过程中的组织演变参数，从而能够获得预期的半固态合金浆料制备所需的压铸坯锭原料。之后，将合金压铸坯锭加热到固-液两相区进行等温半固态热处理，可以通过调整等温热处理温度和保温时间，最终获得理想的半固态浆料。
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公开(公告)号：CN108842186A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810647411.8
申请日：2018-06-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B33/12
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹波段增透的碲化锌晶体表面微结构的制备方法，用于解决现有方法制备的碲化锌晶体表面微结构透过率差的技术问题。技术方案是将碲化锌晶体机械抛光和化学抛光；用溴甲醇溶液腐蚀碲化锌晶片一定时间，运用反应离子刻蚀的方法采用合适的气氛、功率和气压在碲化锌的上下两个面刻蚀出微结构，刻蚀完之后最后将碲化锌晶片装入晶片夹具，形成器件使用。由于使用了反应离子刻蚀的方法进行表面微结构的刻蚀，使用了优化的工艺和制备参数，相对于背景技术太赫兹透过率提高了30％以上，增透程度最高达到150％以上，总体均匀增透，同时也降低了生产成本，实用性好。
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公开(公告)号：CN108277536A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810084654.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种LiXSe2多晶化合物与单晶体的制备方法，将Li、In、Ga、Se几种单质装入内层坩埚与石英坩埚中并真空封装，装入摇摆炉中，在LiXSe2化合物熔点以上，保温、摇摆，随后冷却到室温。得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)化合物符合其化学计量比。通过控制温度，在Li、Se较低的蒸汽压下，使Li、In、Ga和Se四种单质在Li、Se熔点附近发生化合反应，得到Li2Se、InxSey和GaxSey等化合物，以固定Li与Se的化学活性，从而减少Li与Se成分的损失，利用该方法得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)多晶原料生长得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)单晶体的化学成分对化学计量比的偏离可以控制在5％以内。
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公开(公告)号：CN105506522B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510980355.6
申请日：2015-12-24
Applicant: 西北工业大学
IPC: C22F1/04
Abstract: 本发明公开了一种框架类铝合金铸件热处理变形校正方法，用于解决现有铝合金铸件热处理变形控制方法实用性差的技术问题。技术方案是在铝合金铸件热处理前，采用可调式工装将铸件前端、铸件中部及铸件后端固定，防止铝合金铸件在固溶及入水过程中出现变形，在固溶完后，在弯曲应力集中的铸件中部区域，施加载荷使铸件中部产生逆弯曲应力方向的变形，然后将铝合金铸件进行人工时效，使铝合金铸件变形区域在铝合金铸件本身结构重力产生的弯曲应力作用下恢复到尺寸误差控制范围内，实现铝合金铸件热处理变形控制，从而有效避免了铝合金铸件的弯曲变形，并使铝合金铸件满足力学性能及尺寸要求。
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公开(公告)号：CN103560167B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310489066.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102390856B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110359634.2
申请日：2011-11-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种低温制备高稳定性γ相纳米硫化镧粉体的方法，通过氯化镧的饱和溶液、N，N-二甲基二硫代氨基甲酸钠的饱和溶液和2，2’-联吡啶溶液制备固态化合物[La(S2CNMe2)3(2，2’-bipy)]，在封闭微波溶剂热反应釜中制备无定形La2S3粉体，最后在气氛管式炉中制备高稳定性纯γ相La2S3粉体。本发明降低了实验温度，缩短了保温时间，消除了对无水无氧环境的严格要求。由于γ相La2S3在温度高于1300℃时属于稳定相，因此本发明制备的硫化镧粉体为在全温度范围内可以稳定保持为γ相结构的硫化镧粉体。同时，它工艺简单，成本低，适合于大规模制备稳定性高的高纯γ相硫化镧粉体。
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公开(公告)号：CN101665983B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810150770.9
申请日：2008-09-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明是一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成。本发明采用的技术方案可以生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
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公开(公告)号：CN102039399A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110005147.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 西北工业大学 , 成都飞机工业(集团)有限责任公司 , 成都耶华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大型铝合金铸件石膏型精密铸造的浇铸工艺及冶金质量的控制方法，用于解决现有的大型薄壁复杂铝合金精密铸件石膏型调压铸造方法工艺参数难以控制的技术问题。其技术方案是铝合金液经过精炼后，转移至浇包内，采用六氯乙烷对合金液进行精炼处理；处理后的铝合金液、浇包以及铸型安置在真空罐中，真空度达到要求后浇注；浇注结束，迅速破除真空，经过保压、泄压，冷却至室温。由于采用浇包内熔体二次处理方法，解决了铝合金液因中间转移过程而产生氧化物夹杂等现象；采用真空增压的浇注凝固方法，将主要铸造工艺参数简化为控制真空度，保压压力以及保压时间，有效地控制了工艺参数。
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公开(公告)号：CN101985698A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010554336.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种铝合金真空提拉除气装置，包括真空泵、提拉式真空除气机、真空缓冲罐、密封中隔板及设备下罐。当合金液完全熔化后，将中隔板放置于下罐上，将提拉式真空除气机放置于中隔板上。开启真空泵对下罐抽真空。通过提拉真空除气机上下提拉搅动坩埚内金属液，由于负压作用，合金液溶解的气体会自动析出，扩散出来，从而减少合金液内的含气量，提高合金液的品质，提高铸件质量。本发明是一种适用于反重力铸造，包括低压铸造、差压铸造和调压铸造的炉前合金液除气净化处理装置，结构简单，容易操作，无环境污染，满足实际生产的需求。
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公开(公告)号：CN101092748B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710017996.7
申请日：2007-06-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶 或 ；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；将石英安瓿放入ACRT-B型晶体生长设备中，在18～20小时内将高温区的温度升至1135～1145℃，低温区9温度升至1030～1040℃，达到目标温度后，再过热12～16小时，以每小时0.8mm的速度下降支撑杆，下降时间为200～240小时；停止下降后，5～6个小时将高温区和低温区温度降至870～890℃，晶锭进行144～168小时的原位退火后，以每小时5℃缓慢降温至550～560℃后关闭电源空冷至室温。通过上述步骤获得了大体积CZT单晶，同时提高了晶锭的单晶率。
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