膜表面处理装置
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102791777B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201180012728.0

    申请日:2011-02-28

    CPC classification number: B29D11/00634 G02B5/3033 H05H1/48 H05H2001/485

    Abstract: 本发明提供一种膜表面处理装置,在将聚合性单体作为反应成分而对偏振板用保护膜等被处理膜进行等离子体处理时,能够防止电极等的污垢且提高粘接性等处理效果。在第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。使电极(11、12)旋转,从电极(11)向电极(12)输送被处理膜(9)。使反应气体喷嘴(31)沿着第一辊电极(11)的周向从电极(11、12)间的放电空间(14)向电极旋转方向的上游侧离开,且以与第一辊电极(11)对置的方式配置。优选在第一辊电极(11)上覆盖遮蔽构件(40)。从喷嘴(31)吹出含有聚合性单体的反应气体。在第一、第二辊电极(11、12)彼此之间的被处理膜(9)的折返部分(9a)的内侧配置有放电生成气体喷嘴(21)。从放电生成气体喷嘴(21)向放电空间(14)吹出不含有聚合性单体的放电生成气体。

    膜表面处理装置
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102812073A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201180015223.X

    申请日:2011-03-23

    CPC classification number: B29C59/14

    Abstract: 本发明提供膜表面处理装置,在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应,并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选,使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置,将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。

    用于处理基板的外周部的方法及设备

    公开(公告)号:CN101124663A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200580023196.5

    申请日:2005-07-08

    Abstract: 一种用于处理基板的外周的方法和装置,在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内,且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热,且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面,晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。

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