公开(公告)号：CN116825813A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310760768.8

申请日：2023-06-26

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 章文通 ,  赵泉钰 ,  刘雨婷 ,  郭新凯 ,  孙燕 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来引入P型槽底杂质注入，由于电荷平衡，原来由N型漂移区内指向pwell区的电场线，终结到槽底部的P型槽底注入区，从来增大了终端结构指头区域的曲率结，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，而且介质槽使得该连接处不再有电荷的运动，也能够避免电场线的集中造成的器件提前击穿，并且该结构可以将指头的面积变小，有利于减小芯片面积。

公开(公告)号：CN114374376B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202210033085.8

申请日：2022-01-12

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 周琦 ,  党其亮 ,  李明哲 ,  杨文星 ,  罗志华 ,  邓超 ,  张波 ,  郭新凯

IPC: H03K7/08

Abstract: 本发明公开了一种高频硅基GaN单片集成PWM电路，基于P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台下的E‑mode GaN晶体管、2DEG电阻和MIM电容进行三级比较器等结构设计，并以此为基础实现迟滞比较器、锯齿波电路和整体PWM电路的设计。本发明基于增强型GaN晶体管进行三级比较器电路拓扑设计优化反馈回路，从而实现高鲁棒性锯齿波电路设计；PWM单片集成电路同时集成反馈电阻以及GaN MIM电容，极大减小电路设计中的寄生效应，可更容易满足PWM模块方案的高频需求。该电路方案不仅更易实现GaN功率芯片单片集成，而且可避免D‑mode N型沟道晶体管存在的栅极长期可靠性等问题。本发明提出的高频硅基GaN单片集成PWM电路为未来实现更加紧凑的功率转换解决方案提供基础。

公开(公告)号：CN115835242A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211207741.8

申请日：2022-09-30

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 李晓倩 ,  秦爽 ,  冯钢 ,  郭新凯

IPC: H04W24/02 ,  H04W24/10 ,  H04W28/20

Abstract: 本发明公开了一种面向群智感知的通感算联合优化方法、设备及存储介质，涉及群智感知领域，包括以下步骤：基于感知平台建立通感算联合优化算法；基于当前用户状态信息和网络资源，利用通感算联合优化算法得到感知任务的通感算策略；基于通感算策略，参与感知任务的终端进行感知数据的收集、传输与计算。本发明在联合优化设计此系统下的数据感知、计算和传输策略的技术上，并且还将同时考虑用户选择与带宽分配策略，以实现网络资源的有效利用，大大提升了有限网络资源条件下系统的性能，且很容易在实际系统中得以实现。

公开(公告)号：CN115832050A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211436755.7

申请日：2022-11-16

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 程骏骥 ,  钟涛 ,  郭新凯 ,  杨洪强

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率LDMOS器件领域，提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI‑LDMOS器件，用以改善器件击穿电压和比导通电阻之间的矛盾关系，提升SOI‑LDMOS的Baliga优值，同时提高器件的抗电荷偏离能力，提升鲁棒性。本发明中HK层和鳍状P型变掺杂区对鳍状N型漂移区构成全环绕的电荷补偿；P型变掺杂区与N型漂移区彼此耗尽，在纵向上形成变化的电场分布，降低器件表面电场强度，构成双重RESURF，且提高器件耐压特性；同时，HK层对N型漂移区构成三面的电荷补偿，使N型漂移区表面得到增强RESURF效应，从而改善器件表面电场分布，进一步优化器件击穿电压和比导通电阻之间的关系；另外，HK材料还赋予了器件抵抗电荷偏离的能力，提高了器件的鲁棒性。

公开(公告)号：CN114781309A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210254061.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 张浩悦 ,  黄海猛 ,  郭新凯 ,  童星豪

IPC: G06F30/39 ,  G06F30/20 ,  G06F111/04 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供的一种隔离柱超结结构的优化方法，适用于任意应用条件的该类超结结构，且综合考虑了温度的影响，通过一个目标函数和两个约束条件获得所有优化的设计参数，通过相同的优化过程进行不同次数的迭代可以获得不同误差精度的结果。本发明优化方法得到隔离柱超结结构比传统超结结构有更低的比导通电阻的设计参数取值范围，并证明低介电系数介质隔离柱超结结构的优越性。

公开(公告)号：CN218725373U

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202222997768.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 智鹏鹏 ,  云国丽 ,  郭新凯 ,  官毅

IPC: G01M17/08

Abstract: 本实用新型公开了一种列车转向架测试用固定装置，包括转向架和连接座，所述转向架的侧面设置有连接板，所述连接板的两侧均开设有卡槽，所述卡槽内设置有卡块，所述卡块的侧面设置有传动板，所述连接座的一侧两端均设置有限位板，两个所述限位板之间设置有第一传动杆和限位杆，所述第一传动杆的两端均开设有螺纹。本申请中设置有连接座、第一连接杆、第二连接杆、滑槽、弹簧、限位板、转向架、连接板、卡槽、传动板、卡块、限位杆、第一传动杆、蜗轮、限位座、第二传动杆、蜗杆和转轮结构，和现有技术相比，本申请可以实现转向架与连接座之间的快速连接，摒弃了传统的螺栓连接，提高了连接速度。