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公开(公告)号：CN110866277A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911107523.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种DaaS应用的数据集成的隐私保护方法，包括如下步骤，步骤一、在满足数据匿名的条件下，通过租户间多轮协作，每轮采用信息增益最大的属性加细数据集；步骤二、设定云服务提供商的信誉等级，并根据信誉等级划分云服务提供商；步骤三、对于低于预设信誉等级的云服务提供商，采用基于分割的隐私保护机制，隐藏数据之间的关联关系，并通过分组均衡化的方式，确保属性的值域均衡分布，防止云服务提供商泄露租户数据隐私；对于高于预设信誉等级的云服务提供商，采用分类索引树数据结构，验证云服务提供商返回数据的正确性及完整性。本发明通过分类索引树数据结构，使云租户有能力验证云服务提供商返回结果集的正确性及完整性。
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公开(公告)号：CN110866276A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911107507.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06F21/62
Abstract: 本发明属于数据的隐私保护的技术领域，具体涉及一种混合云环境下数据的隐私保护方法，包括如下步骤，步骤一、将DaaS承载平台作为混合云，根据高维稀疏数据的特征及数据发布模式，分析引入云平台后数据隐私泄露的潜在风险；步骤二、在匿名分割策略的基础上，通过贪心策略，分析数据可用性最大化的约束场景；步骤三、利用交互型差分隐私保护的统计搜索，分析加噪对数据可用性的影响；步骤四、针对并行化匿名分割造成的数据误分割，通过共享聚合簇，减小保留在私有云上的数据量。本发明能够减少信息损失，提高算法的执行效率，从而提高数据的隐私保护的可行性和实用性。
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公开(公告)号：CN107731901A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/7397
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107016861A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710396432.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习和智能路灯的交通信号灯智能调控系统，属于智能公共交通领域，本系统包括在交通道路路口设置路边单元和智能交通信号灯，其中路边单元包括图像采集模块、车辆检测模块、拥堵判定模块和通信模块；图像采集模块实时采集各个路口方向的道路交通图像并发送给车辆检测模块，获取每个路口方向的车流量，由同时拥堵判定模块结合车流量给出各路口方向的拥堵等级并通过通信模块传输至智能交通信号灯；由智能交通信号灯基于拥堵等级实时调整通行时间并显示。本发明实时检测道路交通状况，针对不同的路段可灵活设定不同的拥堵级别阙值，从而自动判断拥堵情况并对路口各个方向的通信时间进行调整，使交通信号灯更加灵活且智能。
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公开(公告)号：CN119093399A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411079550.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明为了优化虚拟同步发电机的在微电网中的频率动态响应性能，提出了一种基于模糊控制器的虚拟同步发电机参数自适应预测控制方法。本发明首先通过采集系统的电压、电流等物理量，设计了一个模糊控制器，自适应调节虚拟同步发电机的惯性系数和阻尼系数。然后将调整后的惯性系数和阻尼用来修改预测模型，通过系统的频率约束方程，求解得到虚拟同步发电机最优参考功率。采用本发明提出的控制方法，能够增强系统的频率动态响应性能，提高了微电网系统的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117673154A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311338150.9
申请日：2023-10-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有哑铃状体内埋层的新型LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层、第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极、第一介质氧化层、第二介质氧化层。第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于漂移区体内；本发明通过新型工艺制造方法在漂移区引入哑铃状第一导电类型埋层与条形第二导电类型埋层，使器件漂移区内开态时形成更宽的导电路径，能够实现比导通电阻的降低；此外，该结构能够优化器件表面电场分布，解决器件可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN116953239A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310693299.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G01N33/574 , G01N33/58 , G01N27/72
Abstract: 该发明公开了一种应用于乳腺癌细胞检测的双模式传感器，本发明涉及乳腺癌细胞检测、磁学、微电子学与固体电子学等交叉领域，首次提出使用双模式磁传感器检测血液中与抗体偶联的磁性颗粒的方法。该发明通过导线或线圈通电产生磁场吸引血液中的磁性颗粒于芯片上表面；设计了与血液中磁性颗粒的大小相当的小尺寸TMR传感器和霍尔传感器阵列，保证颗粒存在时，传感器能产生明显的输出电压；在TMR传感器中设计了挡板来固定颗粒，使其每个颗粒分割开来，防止颗粒集中或者多个颗粒沿传感器深度方向堆积而检测不到，提高了传感器输出电压和磁性颗粒数目的线性度以及准确率。
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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN113555424B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110829052.X
申请日：2021-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN107342321B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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