-
公开(公告)号：CN107687859A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710794646.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01C21/20
CPC classification number: G01C21/20
Abstract: 本发明公开了一种基于A星算法的最短寻路方法。其包括将搜索区域划分为多个网格并将起点放入开启列表中，搜索起点所在网格相邻的网格并计算相邻的网格点与目标点的距离，采用A星算法计算从初始状态到目标状态的代价估计，通过判断起点至目标点各路径对应代价估计值是否为最小值寻找新起点，再通过判断新的起点是否为目标点完成寻路。本发明具有直观明了，适用性强，可以适用各种场景寻路的优点。
-
公开(公告)号：CN107516337A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710799829.6
申请日：2017-09-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Unity3D的CPU优化方法。其包括采用Unity3D创建初始场景，在生成物体时采用动态批处理方法获取CPU优化数据，对场景中的物体采用静态批处理方法获取CPU优化数据，采用场景设置以及灯光设置方法获取CPU优化数据，对CPU优化数据进行分析对比，得到CPU优化结果。本发明通过Unity3D创建初始场景，并在不同情景下分别采用动态批处理方法、静态批处理方法、场景设置以及灯光设置方法获取CPU优化数据，通过对CPU优化数据进行分析对比得到CPU优化方案，从而实现场景优化，减少CPU的开支，提升CPU的性能。
-
公开(公告)号：CN106328753A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610739151.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , B81B7/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS微结构的红外增强Si-PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、MEMS微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P+型区、上电极，MEMS微结构层为按正方体阵列排布的柱子或孔洞，本发明通过调控微结构的柱子或孔洞的直径、高度或深度、周期，可以得到不同的反射率和吸收峰位置，从而提高特定波长的响应特性，调控合金薄膜中的钌含量可获得较窄的光学带隙，从而能将透过MEMS微结构层能量更低、波长更长的近红外光捕获，因此可以增加对近红外的再次吸收，拓宽光电探测器的探测范围，提高其近红外光的探测效率。
-
公开(公告)号：CN106206831A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610739136.3
申请日：2016-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si-PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、飞秒激光烧蚀微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P+型区、上电极，飞秒激光烧蚀微结构层为微米尖锥阵列，本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射，增加光的传播路程和光子捕获比，增加光的吸收和利用，更多的激发光生载流子，提高探测器的响应度，通过控制钌含量获得较窄的光学带隙，使硅材料的禁带宽度变窄，从而捕获能量更低、波长更长的近红外光，因此可以额外增加对近红外的吸收，扩展光电探测器的探测光谱范围。
-
公开(公告)号：CN106129168A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610729858.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/1055 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、金属诱导刻蚀纳米结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P+型区、上电极，金属诱导刻蚀纳米结构层为纳米尖锥阵列，本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射，增加光的传播路程和光子捕获比，增加光的吸收和利用，更多的激发光生载流子，提高探测器的响应度，通过控制钌含量获得较窄的光学带隙，使硅材料的禁带宽度变窄，从而捕获能量更低、波长更长的近红外光，因此可以额外增加对近红外的吸收，扩展光电探测器的探测光谱范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105372849A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510847861.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G02F1/011 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B2006/12145 , G02B2006/12176 , G02F2001/0113
Abstract: 本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述非晶硅层位于硅基波导中部脊形凸起结构的上表面；所述银电极位于非晶硅层的上表面；所述金属电极位于硅基波导中部脊形凸起结构一侧的硅基波导平面部分上表面。本发明的有益效果为，本发明具有尺寸小的优点，同时还具备较强的稳定性，受温度和电压的波动影响小，并且还具有良好的抗辐照特性。
-
公开(公告)号：CN105185845A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510502727.4
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , H01L31/105 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法，包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1中央上方的P型区2、位于硅本征衬底1上方两侧的P+区4、位于硅本征衬底1背面的N型微结构硅层3、位于P型区2和P+区4上表面的上电极5，以及位于N型微结构硅层3下方的下电极6；其中P+区4的结深大于P型区2的结深。上端电极5用于与外接电路阴极相连接；下端电极6用于与外接电路阳极相连接。该新型Si光电探测器提高了对入射光和近红外透过光的吸收，具有响应度更高、光谱响应范围更宽、响应更快等特点。
-
公开(公告)号：CN105115599A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510504418.0
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中央上方四周的环形P+区3、位于硅本征衬底下方的N型MEMS微结构硅层区2、位于P型区和P+区上表面两侧的上电极5，以及位于N型MEMS微结构硅层区下表面的下电极6。每个单元探测器件通过隔离槽隔开，可以有效减小象限间的信号串扰。本发明比传统Si-PIN四象限光电探测器具有响应度高、响应波段范围宽、象限间信噪比大等特点，可拓展Si-PIN四象限光电探测器的功能和使用范围，满足大规模市场化应用的需求。
-
公开(公告)号：CN103151424B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310077692.5
申请日：2013-03-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进行快速退火处理；⑤采用光刻工艺将金属电极刻蚀成指定电极形状，完成电极制备。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，通过改良的化学镀工艺，以多孔硅独特的多孔面为基础，在不采用敏化活化工艺的前提下完成多孔硅的化学镀，在多孔硅表面形成一层附着力良好、结合强度高的金属电极，能提高金属电极与多孔硅表面的结合力、降低接触电阻。
-
公开(公告)号：CN102854548A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210361646.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B1/11
Abstract: 本发明实施例公开了一种红外光学窗口及其制造方法，包括：提供红外光学窗口基片；在入射面上形成第一抗反射结构；在出射面上形成第二抗反射结构；在形成了第一抗反射结构的入射面上形成聚合物薄膜保护层。本发明的实施例中，在入射面的抗反射结构上形成了由具有高红外光透过率的聚合物材料形成的薄膜保护层，该薄膜保护层不存在吸水吸潮现象，机械性能稳定，对工作环境变化不敏感，内应力小，8～12um波段平均红外透过率达到85%以上，折射率适中，制备方法简单，成本低廉。利用这种结构可保护抗反射结构免受环境污染和物理破坏，有效提高窗口可靠性，增加窗口的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
272
records
(took 0.038 seconds)
