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公开(公告)号：CN111902508A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980022130.6
申请日：2019-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/35 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J201/00 , B32B27/00 , B32B27/20 , C09J7/20
Abstract: 本发明涉及一种粘合性层叠体，其具备：具有基材(Y)及粘合剂层(X)且在任意层包含膨胀性粒子的膨胀性的粘合片(I)、和具有热固性树脂层(Z)的固化树脂膜形成用片(II)，且粘合片(I)和固化树脂膜形成用片(II)的热固性树脂层(Z)直接层叠在一起，其中，该粘合性层叠体通过使所述膨胀性粒子膨胀的处理而在粘合片(I)与固化树脂膜形成用片(II)的界面P分离。
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公开(公告)号：CN111886673A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980017581.0
申请日：2019-03-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种扩片方法，该方法包括：贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13)；扩片工序，使粘合片(10)伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及能量射线照射工序，对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线，以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化，所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。
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公开(公告)号：CN111656491A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010027.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，该制造方法包含：将热固性树脂膜贴附在具有凸块的半导体晶圆的该凸块侧的第一面上；通过使该热固性树脂膜进行热固化，在该半导体晶圆的该第一面上形成第一保护膜；从形成有所述第一保护膜的第一面的一侧对该半导体晶圆进行半切切割；及通过对该半导体晶圆的经过半切切割的该第一面的一侧进行等离子体照射，去除该凸块的头顶部的该第一保护膜的残渣，并同时将该半导体晶圆单颗化。
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公开(公告)号：CN111295739A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070770.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，该方法依次具有下述工序(1)～(3)，且在工序(3)之后使粘合片(A)的膨胀性粒子膨胀而将粘合片(A)从被粘附物分离。工序(1)：将具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)拉伸而扩大载置于粘合片(B)的粘合剂层(X2)上的多个芯片彼此间的间隔的工序；工序(2)：将粘合片(A)的粘合剂层(X1)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X2)相接触的面相反侧的面的工序；工序(3)：将粘贴于粘合片(A)的所述多个芯片与粘合片(B)分离的工序。
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公开(公告)号：CN109390240A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810862224.1
申请日：2018-08-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/485 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J201/00 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法具有以下工序：夹隔着粘接剂层粘贴基材(11)和半导体元件的工序；使所述粘接剂层固化而形成固化粘接剂层(12A)的工序；将多个所述半导体元件密封而形成具有密封树脂层的密封体(3)的工序；将基材(11)从密封体(3)上剥离而不将所述固化粘接剂层(12A)从密封体(3)上剥离的工序；形成与所述半导体元件电连接的再布线层的工序；以及使外部端子电极与所述再布线层电连接的工序。
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