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公开(公告)号：CN116811389A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211514045.1
申请日：2022-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B7/12 , B32B7/06 , B32B27/36 , B32B33/00 , B29C63/02 , B29C65/48
Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用复合片(1)或套件，树脂膜形成用复合片(1)或套件具备：具有设置在基材(11)的一个面上的能量射线固化性的粘着剂层(12)的支撑片(10)、与热固性树脂膜形成膜(13)，加热后的所述粘着剂层与树脂膜之间的粘着力(Z2)为8000mN/25mm以上，所述粘着剂层的能量射线固化物与所述树脂膜之间的粘着力(Z1)为400mN/25mm以下。
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公开(公告)号：CN108701598B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780012808.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，并进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。本发明还提供一种具备该基材膜的半导体加工片。根据所述半导体加工片用基材膜以及半导体加工片，即使将邻苯二甲酸烷基酯的代替物质用作增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低，并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生。
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公开(公告)号：CN115141571A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210129766.4
申请日：2022-02-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J7/24 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J163/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种支撑片(10)，其为用于工件或将工件分割而成的芯片的加热的支撑片(10)，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对样品尺寸为长20mm、宽5mm的支撑片(10)进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A130)为500μm以下，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A23→130)比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B130→50|)小。
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公开(公告)号：CN115132638A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210305547.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L23/544 , H01L21/67 , H01L21/50 , C09J7/29 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种即使在经过回流焊处理等加热工序的情况下印字的识别性仍高的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及带保护膜的工件加工物、以及具备带保护膜的工件加工物等的装置的制造方法。所述保护膜形成膜用于形成保护膜，其中，保护膜形成膜具有印字贯穿层与印字识别层，在CIE1976L*a*b*色空间中，于260℃加热5分钟后的印字贯穿层与印字识别层的色差为50以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078039B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680003252.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C09J7/20
Abstract: 本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层叠于基材(2)的至少一面侧的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，具有盐及能量射线固化性基团；及能量射线固化性粘着成分(除上述聚合物以外)，粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为聚合物的侧链。该种半导体加工用片材(1)能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制被粘物的污染。
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公开(公告)号：CN111052316A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057314.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 薄型化板状部件的制造方法具备：向第一硬质支承体(110)的支承面(111)粘贴第一双面粘接片(AT1)的第一粘接面(AT11)，向板状部件(WF)的整个第一表面(WF1)粘贴第二粘接面(AT12)的工序；在所述板状部件(WF)的内部形成边界层(CR)的工序；以第一保持单元(130)夹着第一硬质支承体(110)位于所述板状部件(WF)的相反侧的方式，将所述第一保持单元(130)和第一硬质支承体(110)拆装自如地固定的工序；利用第二保持单元(160)从第二表面(WF2)侧保持所述板状部件(WF)的工序；使所述第一保持单元(130)和所述第二保持单元(160)相对移动，从而以所述边界层(CR)为界，将所述板状部件(WF)分割为具有第一表面(WF1)的第一薄型化板状部件以及具有第二表面(WF2)的第二薄型化板状部件的工序。
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公开(公告)号：CN110809815A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043967.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
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公开(公告)号：CN105492558B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480047439.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片材。本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及除上述聚合物以外的能量线固化性粘着成分。该半导体加工用片材(1)，能够发挥充分的抗静电性，并且在能量线照射后剥离时抑制被粘物的污染。
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公开(公告)号：CN107078039A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680003252.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
Abstract: 本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层叠于基材(2)的至少一面侧的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，具有盐及能量射线固化性基团；及能量射线固化性粘着成分(除上述聚合物以外)，粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为聚合物的侧链。该种半导体加工用片材(1)能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制被粘物的污染。
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