公开(公告)号：CN107579121A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611149881.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n-型层；设置在n-型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n-型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n-型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。

公开(公告)号：CN106876390A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610561758.1

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L29/7805 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L27/0635 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。

公开(公告)号：CN106876390B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201610561758.1

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。

公开(公告)号：CN107579121B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201611149881.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n‑型层；设置在n‑型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n‑型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n‑型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。

公开(公告)号：CN107026203B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610983600.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在p型区域和第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第二沟槽中；栅电极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅电极上；源电极，布置在氧化层和n+型区域上且布置在第一沟槽中；以及漏极，布置在n+型碳化硅基板的第二表面处。

公开(公告)号：CN107579109A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611031572.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n-型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n-型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN104465339B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310757104.2

申请日：2013-12-27

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 郑永均 ,  千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p‑型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p‑型外延层，形成在n‑型外延层上。

公开(公告)号：CN106876461A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610474194.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66666

Abstract: 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。

公开(公告)号：CN104752505A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410415577.9

申请日：2014-08-21

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7825

Abstract: 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n-型外延层。

公开(公告)号：CN114695537A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111403740.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  千大焕 ,  洪埩熀 ,  郑永均 ,  周洛龙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底的第一表面上的n‑型层、在n‑型层的一部分上的p型区、在n‑型层和p型区上的栅极、在栅极上的第一栅极保护层和在第一栅极保护层上的第二栅极保护层、在第二栅极保护层和p型区上的源极，以及在衬底的第二表面上的漏极。