公开(公告)号：CN1906821A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001983.X

申请日：2005-03-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文

IPC: H01S5/024 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02407 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀，并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。

公开(公告)号：CN1906820A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001695.4

申请日：2005-03-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  山中正宣

IPC: H01S5/024 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01S5/02264 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，其具有用于防止散热器内的制冷剂流路腐蚀、且长期稳定地冷却半导体激光列阵的结构。该半导体激光装置具有：层叠了多个半导体激光器件的半导体激光堆；制冷剂供给器；连接它们的配管；和在其中流通的制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光堆供给制冷剂。制冷剂由碳氟化合物组成。各个半导体激光器件由一对半导体激光列阵和散热器构成。散热器具有制冷剂流路。

公开(公告)号：CN1672083A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817477.4

申请日：2003-08-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 郑宇进 ,  宫岛博文 ,  菅博文

IPC: G02B27/10 ,  H01S5/02

CPC classification number: G02B19/0057 ,  G02B3/005 ,  G02B3/0068 ,  G02B19/0028 ,  G02B27/0961 ,  G02B27/0966 ,  G02B27/123 ,  G02B27/143 ,  G02B27/145 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031

Abstract: 聚光装置具备光源(10、20)和合光元件(30)。光源(10、20)分别具有半导体激光列阵(12、22)、视准透镜(16、26)以及光束转换器(18、28)。合光元件(30)合成来自光源(10、20)的光束。通过视准透镜(16、26)的折射作用，抑制在与活性层(14、24)的排列方向垂直的面内的光束发散。通过光束转换器(18、28)使光束的横截面大致旋转90°。因此，在活性层的排列方向的光束发散被抑制，邻接的光束难以互相交叉。

公开(公告)号：CN1639933A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805255.5

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 本间孝宜 ,  土屋广司 ,  菅博文

IPC: H01S5/024 ,  A01G7/00 ,  H01L23/46

CPC classification number: A01G7/045 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P60/149 ,  Y10T29/49158 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置，其特征在于，对于M个半导体激光单元4，在与入水侧总管10连接的入水管道1和与出水侧总管13连接的出水管道6的各自的途中、设置通过连接线3电气连接冷却水通路23的导电性部位的防护电极2。这时，由于防护电极2与冷却水通路23的导电性部位为等电位，导致电流在防护电极2与冷却水通路23的导电性部位间难以流动。这样、可抑制M个半导体激光单元4内发生生锈，防止冷却水通路23的水流不畅。

公开(公告)号：CN1628364A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803429.8

申请日：2003-02-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  内山昌一 ,  菅博文

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/34 ,  H01J31/506 ,  H01J2201/3421

Abstract: 本发明的透射型光电阴极包括以下构成：由金刚石或以金刚石为主要成分的材料形成的光吸收层(1)、增强光吸收层(1)机械强度的支持框(21)、与光吸收层(1)的入射面相对设置的第1电极(31)、以及与光吸收层(1)的出射面相对设置的第2电极(32)。而且，在光吸收层(1)的入射面和出射面之间施加电压在光吸收层(1)内部形成有电场，一旦待检测光入射在光吸收层(1)内部有光电子产生，光电子就因光吸收层(1)内部所形成的电场而在出射面方向上得到加速，从而放射出到透射型光电阴极的外部。

公开(公告)号：CN107207374A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580073644.6

申请日：2015-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 米田修 ,  近藤拓也 ,  川嶋利幸 ,  菅博文 ,  佐藤仲弘 ,  关根尊史 ,  栗田隆史 ,  砂原淳 ,  元广友美 ,  日置辰视 ,  东博纯 ,  大岛繁树 ,  梶野勉 ,  北川米喜 ,  森芳孝 ,  石井胜弘 ,  花山良平 ,  西村靖彦 ,  三浦永祐

IPC: C04B41/91 ,  B23K26/354 ,  C04B41/80

Abstract: 本发明的课题在于提供一种不会生成单斜晶的氧化锆的加工方法。该氧化锆的加工方法的特征在于，包括以1013～1015W/cm2的强度向氧化锆照射具有10－12秒至10－15秒的脉冲宽度的激光的工序。

公开(公告)号：CN103596520A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280027064.X

申请日：2012-05-17

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 粟津邦男 ,  石井克典 ,  秋草直大 ,  枝村忠孝 ,  菅博文

IPC: A61C3/02

CPC classification number: A61C1/0046 ,  A61C1/0015 ,  A61C3/02

Abstract: 本发明提供一种可以更可靠地低侵袭地进行齿科治疗的齿科用治疗装置。齿科用治疗装置（10A）具备：输出具有5.7μm～6.6μm的波段的波长的激光（L）的激光光源（11）、脉冲驱动激光光源并且控制从激光光源输出的脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者的控制部（12）、以及用于将从激光光源输出的光照射到包含蛀牙部位（21）的牙齿（20）的照射光学系统（13）。在该齿科治疗装置中，控制部通过控制脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者，来选择性地对蛀牙部位（21）进行切削。

公开(公告)号：CN103155310A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049763.X

申请日：2011-10-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 影山进人 ,  宫岛博文 ,  菅博文

IPC: H01S5/022 ,  H01L23/36 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/02423 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02264 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00

Abstract: 将半导体激光模块（2）安装于液体冷却式的热沉（1）。在与半导体激光模块（2）的安装面相反侧的面上，固定有钼加强体（3）。钼具有比热沉（1）小的线膨胀系数。次载具优选使用Cu-W合金，加强体（3）优选使用钼。这一情况下，伸缩时赋予热沉（1）的应力能够互相抵消。

公开(公告)号：CN102210029A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144433.1

申请日：2009-09-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 楚树成 ,  菅博文

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。

公开(公告)号：CN101132046B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710146680.8

申请日：2007-08-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 楚树成 ,  菅博文

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L33/0054

Abstract: 本发明提供硅元件的制造方法，其具有：在显示第1导电型的硅基板(2a)的第1面(S1a)上形成显示第2导电型的硅层(4a)的工序，和在该工序后，使硅层(4a)的第3面(S3a)在30分钟以上6小时以内的时间段，露出于被调整为400℃以上900℃以下的温度及4MPa以上200MPa以下的压力的包含氩气的气氛中的工序。