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公开(公告)号：CN116884910A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310873238.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片，载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域，将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后，形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧，避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动，也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落；同时，待加工晶圆本身具有一定的透光率，热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收，导致升温速度慢，选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片，通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量，再将热量传递给待加工晶圆，从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。
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公开(公告)号：CN114818387B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202210696369.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种非线性电导材料的性能评价方法，包括：S1）以非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能为性能评价指标，利用AHP法得到性能评价指标的权重；S2）采用TOPSIS模型，将非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能的测量数据进行正向归一化处理，并结合性能评价指标的权重得到非线性电导材料与最优解及最劣解的距离，进行综合距离评分，得到综合性能评价结果。与现有技术相比，本发明提供的方法在同时考虑了电、热、机械特性的情况下对添加不同掺杂质量分数填料的非线性电导材料进行了综合评价，从而使评价结果更符合工程实际的需要，对非线性电导封装材料中掺杂质量分数的优化设计具有一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN115863164A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310190899.7
申请日：2023-03-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及刻蚀加工方法和装置、半导体器件。该刻蚀加工方法包括：形成覆盖待刻蚀区的第一掩膜层，第一掩膜层沿平行于待刻蚀区的第一方向的各处具有不同的等效刻蚀厚度；及通过第一掩膜层对待刻蚀区进行刻蚀，并对第一掩膜层进行刻蚀，刻蚀步骤包括：通过连续调节刻蚀参数以连续调整第一掩膜层与待刻蚀区的刻蚀选择比，刻蚀参数包括第一刻蚀气体与第二刻蚀气体的浓度比，第一刻蚀气体用于刻蚀第一掩膜层，第二刻蚀气体用于刻蚀待刻蚀区。该刻蚀加工方法可以实现准确形貌的刻蚀加工表面。
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公开(公告)号：CN115763235A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211417255.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在复合衬底形成图案化的保护层，并得到第一通道及堆叠的第一介质层及第二介质层，第一介质层、第二介质层及第一通道具有第一掺杂类型，保护层具有第二掺杂类型，保护层贯穿第二介质层，第一通道贯穿保护层；形成沿第二介质层背离第一介质层的方向依次设置的第三介质层、沟道层及第一源接触区，第三介质层和第一源接触区具有第一掺杂类型，沟道层具有第二掺杂类型；及形成栅氧结构，栅氧结构贯穿第一源接触区和沟道层，并至少延伸入第三介质层，栅氧结构与保护层堆叠并与第一通道堆叠。该方法可简单容易地制造沟槽型绝缘栅场效应管，实现嵌套在第三介质层下侧的保护层。
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公开(公告)号：CN115714140A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211302566.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种绝缘栅场效应管及其制造方法，该绝缘栅场效应管包括：复合衬底，具有第一掺杂特性；第一外延层，具有第二掺杂特性，位于复合衬底的一侧；掺杂层，位于第一外延层背离复合衬底的一侧，掺杂层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂特性，第二掺杂区具有第二掺杂特性；栅极，贯穿第一外延层并延伸入复合衬底，栅极位于第一掺杂区背离第二掺杂区的一侧；绝缘层，位于栅极与第一外延层之间并位于栅极与复合衬底之间；以及介电层，位于栅极与复合衬底之间且位于栅极与绝缘层之间，以具有较高的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115320426A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211041739.8
申请日：2022-08-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B60L53/302 , B60L53/31 , B60L53/60
Abstract: 本发明涉及充电桩冷却技术领域中的一种充电桩冷却系统和冷却调节方法，包括空气压缩装置、冷凝装置、气液分离装置、一组以上的充电装置以及主控装置，空气压缩装置的出口与冷凝装置的进口相连，冷凝装置的出口与充电装置的制冷剂进口相连，充电装置的制冷剂出口与气液分离装置的进口相连，气液分离装置的出口与空气压缩装置的进口相连，主控装置与充电装置、空气压缩装置以及冷凝装置电连接，且主控装置用于控制冷凝装置的变频功率以及空气压缩装置的转速，解决了现有充电桩的冷却方式仅在充电桩内部进行冷却，冷却散热效率不高的问题。
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公开(公告)号：CN113990936B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111587237.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种基于不同栅极结构的MOS管器件，涉及半导体技术领域，包括：第一掺杂衬底；第一掺杂结构，第一掺杂结构和第一掺杂衬底相连接；第二掺杂结构，第二掺杂结构和第一掺杂结构相连接；沟槽栅结构，沟槽栅结构分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接；其中，沟槽栅结构包括栅极和栅介质层，栅介质层设置在栅极的底部和侧壁，栅介质层分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接，栅极设置有对称或非对称的周期性排列结构，有益效果在于在保持元胞尺寸和元胞密度不变的前提下，显著增加沟道的面积，有效降低了器件的沟道电阻，通过不同的栅极结构，避免沟道不均流的现象，且当沟槽栅结构缩减到40nm以下时会出现FinFET效应，从而进一步降低沟道的电阻。
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公开(公告)号：CN114493139A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111627483.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 碳化硅基底的膜厚质量评估方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值；S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi；S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi；S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性。本发明通过评价函数和权重系数，计算得到膜厚均值和膜厚均匀性，精确、客观地反映了碳化硅基底上膜厚质量。
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公开(公告)号：CN114334639A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111565477.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/304 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05C13/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法。通过在碳化硅晶圆或残片正面涂敷光刻胶等胶状材料，之后放入机械划片机划取需要的管芯、图形或位置。划取结束后去除表面光刻胶，以达到避免在机械划片过程中造成的碎屑，杂质，颗粒等物质残留在碳化硅晶圆图形表面和内部的目的。
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公开(公告)号：CN114300533A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111614241.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种栅氧结构和制备方法，包括SiC衬底层、氧化层、Al2O3层和高介电材料层，栅氧结构和制备方法氧化层设置在栅氧结构和制备方法SiC衬底层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层设置在氧化层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层远离氧化层的一侧设置有高介电材料层，具有沟道迁移率高、栅极能量损耗小的优点，突破了传统栅氧结构的栅极容易漏电流的瓶颈。
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