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公开(公告)号：CN110828652B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910995467.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/石墨烯异质结器件，所述二硫化钼/石墨烯异质结器件包括二硫化钼材料层和石墨烯材料层，所述二硫化钼和石墨烯层间的旋转角度在7°‑15°之间。本发明提供的二硫化钼/石墨烯异质结器件通过控制MoS2材料层与石墨烯材料层间的旋转角能够调控异质结体系的能带结构而可以诱导出超导特性。
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公开(公告)号：CN110165366B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910324145.X
申请日：2019-04-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q9/20 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种热转印的石墨烯天线及其制备方法，该制备方法包括：将石墨烯导电墨水印刷在热转印纸上，形成石墨烯印刷层后进行热转印，使石墨烯印刷层从热转印纸上脱离并转移到目标基底上。本发明的制备石墨烯天线的流程节能、环保，并可结合大规模生产技术如卷对卷技术应用于工业化生产。本发明制备的石墨烯天线图案可以进行个性化设计以满足不同使用场景的需求。本发明还公开了一种RFID标签，通过将所述的石墨烯天线和RFID芯片实现电连接得到。本发明制备的石墨烯天线可以转印到任何目标基底包括不平整的三维基底上，并与基底完美共形，拓展了RFID标签在物联网领域的应用。
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公开(公告)号：CN111048902A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911337717.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种透明天线：所述透明天线包括透明的介质层和在介质层一个表面上的透明的导电层，所述导电层包括石墨烯薄膜和金属纳米线网络，所述导电层上有天线图案；或述透明天线包括透明的介质层、在介质层一个表面上的透明的导电层和在介质层另一个表面上的接地层，所述导电层包括石墨烯薄膜和金属纳米线网络。本发明还提供了透明天线的制备方法。本发明结合金属纳米线优异的导电性能和石墨烯薄膜的导电特性及其高透光率，在导电层中石墨烯薄膜作为连接体降低金属纳米线的使用量，提高导电膜的透光率和导电性；在满足特定透光率要求的情况下，提高了导电膜的导电性能，从而提高了透明天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN110165367A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910324348.9
申请日：2019-04-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q9/20 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯天线及其制备方法，该制备方法包括：将石墨烯导电墨水印刷在水转印纸上，形成石墨烯印刷层后放入水中，使石墨烯印刷层从水转印纸上脱离并转移到目标基底上。本发明的制备石墨烯天线的流程低温、节能、环保，并可结合大规模生产技术如卷对卷技术应用于工业化生产。本发明制备的石墨烯天线图案可以进行个性化设计以满足不同使用场景的需求。本发明还公开了一种RFID标签，通过将所述的石墨烯天线和RFID芯片实现电连接得到。本发明制备的石墨烯天线可以转印到任何目标基底包括不平整的三维基底上，并与基底完美共形，拓展了RFID标签在物联网领域的应用。
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公开(公告)号：CN110165366A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910324145.X
申请日：2019-04-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q9/20 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种热转印的石墨烯天线及其制备方法，该制备方法包括：将石墨烯导电墨水印刷在热转印纸上，形成石墨烯印刷层后进行热转印，使石墨烯印刷层从热转印纸上脱离并转移到目标基底上。本发明的制备石墨烯天线的流程节能、环保，并可结合大规模生产技术如卷对卷技术应用于工业化生产。本发明制备的石墨烯天线图案可以进行个性化设计以满足不同使用场景的需求。本发明还公开了一种RFID标签，通过将所述的石墨烯天线和RFID芯片实现电连接得到。本发明制备的石墨烯天线可以转印到任何目标基底包括不平整的三维基底上，并与基底完美共形，拓展了RFID标签在物联网领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104843689B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510195619.7
申请日：2015-04-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种定位制备石墨烯薄膜的方法，适于在衬底的特定位置制备高质石墨烯薄膜。本发明使用诱导剂诱导石墨烯薄膜在衬底得特定位置成核与生长，包括使衬底暴露在诱导剂的气氛中或者使衬底含有诱导剂，然后采用本领域的技术方法如化学气相沉积方法或碳偏析法在衬底的特定位置制备石墨烯薄膜。本发明采用诱导剂触发、诱导石墨烯薄膜在衬底上成核和生长；通过这种诱导性而在衬底上实现优先成核和生长，从而达到石墨烯薄膜在衬底上的定位制备。本发明采用的诱导剂简单、安全、可靠、简单易行。本发明的定位制备石墨烯薄膜为石墨烯薄膜的集成光电子应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106549039A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610954919.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/122
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高性能的锗沟道量子阱场效应晶体管，包括半导体锗衬底；半导体锗衬底具有源端注入区和漏端注入区；源端注入区和漏端注入区之间的半导体锗衬底表面依次覆盖二维材料钝化层、栅极绝缘层和栅电极；源端注入区和漏端注入区均设有N+或P+有源注入区。本结构的量子阱晶体管在工作时能够获得比传统锗基金属氧化物半导体场效应晶体管更大的工作电流。栅叠层中的二维材料，由于其层数减少时能带结构会发生变化，特定层数对应的能带结构与锗的能带结构的相对位置偏差使锗沟道形成一个量子阱，这能有效地限制电子和空穴两种载流子的输运空间，减少载流子散射对迁移率的影响，提高器件工作电流，实现低功耗高性能的P型和N型晶体管。
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公开(公告)号：CN102095768B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201010547393.X
申请日：2010-11-16
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/403 , B82Y15/00
CPC classification number: B82Y15/00 , G01N27/447 , G01N33/48721
Abstract: 本发明公开了一种亚纳米厚度的纳米孔传感器。第二电泳电极或微泵、第二储藏室、第二微纳米分离通道、基板、第一绝缘层、亚纳米功能层、第一微纳米分离通道、第一储藏室、第一电泳电极或微泵顺次放置，亚纳米功能层的中心设有纳米孔，第一绝缘层的中心设有第一绝缘层开孔，基板的中心设有基板开口，第一微纳米分离通道中部设有测量离子电流的第一电极，第二微纳米分离通道的中部设有测量离子电流的第二电极。本发明解决了将亚纳米功能层集成于纳米孔的技术难点，其制备亚纳米功能层的方法简单；解决了DNA或RNA碱基穿越纳米孔时由于碱基可能存在的不同取向而导致对碱基与亚纳米功能层的相互作用的影响。
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公开(公告)号：CN102832348A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210310835.8
申请日：2012-08-28
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种图形化电极的制备方法，包括：(1)在电极表面覆上纳米结构层，纳米结构在电极表面的覆盖率为15％～100％；(2)以所述的纳米结构层为模板对所述的电极进行腐蚀；(3)除去所述的纳米结构层得到所述的图形化电极。该制备方法简单，得到的图形化电极表面的刻痕易于控制。本发明还公开了由该制备方法制得的图形化电极，该图形化电极在制备有机太阳能电池的过程中可以诱导有机光活性层形貌结构的优化，这样可以改善有机太阳能电池的性能，提高有机太阳能电池的光电能量转换效率。本发明还公开了一种有机太阳能电池，该有机太阳能电池可以低成本高效率地制造。
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公开(公告)号：CN101913598B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010249002.6
申请日：2010-08-06
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。采用热处理、热蒸镀、溅射、电子束沉积、激光沉积或者等离子沉积方法将碳原子从固体碳源中释放出而在催化层或者衬底上形成石墨烯薄膜。所述的固体碳源为石墨、无定型碳、金刚石、富勒烯或碳纳米管。本发明的制备石墨烯薄膜的方法是使用固体碳源，方法简单，石墨烯薄膜的厚度、结构、尺寸容易控制；制备出石墨烯薄膜具有优异的光电特性，适应于用于大规模地制备高性能的光电子器件。
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