一种导电浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102903420A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201110212973.8

    申请日:2011-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种导电浆料及其制备方法,导电浆料包括银粉、玻璃粉、有机载体和添加剂,其中,添加剂包括渗透剂。以导电浆料的质量百分含量为基准,其中,银粉的含量为60-85%;玻璃粉的含量为1-10%;有机载体的含量为3-20%;渗透剂的含量为0.1-5%。用本发明的导电浆料在太阳能电池表面印刷、烧结后,能形成表面平整,高低一致、高宽比高的银栅线,进而能够提高太阳能电池的电池效率。

    一种玻璃粉及其制备方法和一种导电银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN102674696A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110064444.8

    申请日:2011-03-17

    Abstract: 本发明提供了一种玻璃粉,所述玻璃粉包含锡酸钠、偏硼酸钠、硅酸钠和碲化铋。以玻璃粉的质量百分含量为基准,锡酸钠的含量为5-30%;偏硼酸钠的含量为1-20%;硅酸钠的含量为1-20%;碲化铋的含量为40-70%。本发明的玻璃粉克服了传统的偏见,无需经过高温熔化及淬火等过程,直接将各组分均匀混合即可得到,制备方法简单,性能优越。本发明还提供一种导电银浆,所述导电银浆包含本发明的玻璃粉、银粉和有机载体。以导电银浆的质量百分含量为基准,所述银粉的含量为65-90%;所述玻璃粉的含量为1-10%;所述有机载体的含量为5-30%。

    一种CdS薄膜的制备方法
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101989633B

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN200910109207.1

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种CdS薄膜制备方法。该方法包括如下步骤:(1)配制反应液;(2)沉积薄膜:将衬底置于反应液中,使衬底绕竖直方向的轴旋转,沉积薄膜;(3)超声处理:反应完成后,将衬底取出置于去离子水中超声,后取出并烘干。本发明所提供的CdS薄膜制备方法消除边缘效应,薄膜均匀性好,而且该方法还具有沉积速率快的特点,并且制备出的CdS薄膜表面吸附的CdS颗粒极少。

    一种银粉的制备方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102528069A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010586494.8

    申请日:2010-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种银粉的制备方法,步骤包括:将硝酸银溶液与还原剂溶液接触制备银粉;所述硝酸银溶液中含有分散剂,所述还原剂溶液中含有分散剂和中和剂,所述硝酸银溶液和/或还原剂溶液中含有增稠剂;所述还原剂溶液中的还原剂含有强还原剂和弱还原剂,并同时含有中强还原剂或中等还原剂。本发明的制备方法采用增稠剂调节反应体系黏度,能有效防止银粉的团聚;同时采用不同还原剂搭配的办法可以实现反应体系的酸碱性及反应速率的稳定,从而制备出形貌基本一致,分散性良好的银粉;通过选取不同的还原剂种类搭配和比例选择,还可以实现银粉的粒径调节和形貌调节,并且能够实现控制反应速率的稳定。

    一种导电浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101901843B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200910107758.4

    申请日:2009-05-27

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域。本发明公开一种导电浆料,其包括:铝粉、有机粘结剂、有机溶剂,选择性含有玻璃粉;所述有机粘结剂为碳五石油树脂,所述玻璃粉为BaO-B2O3体系玻璃粉。本发明还公开了一种上述导电浆料的制备方法。本发明所提供的导电浆料,在烧结之后不会产生锈钢网带印痕,并且铝膜光滑、不起疱,硅铝层间附着力良好,并且硅片的弯曲程度小,光电转化效率高。

    一种太阳能多晶硅片制备方法

    公开(公告)号:CN102259864A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201010190150.5

    申请日:2010-05-31

    Inventor: 舒剑 周勇 刘新阳

    Abstract: 本发明提供了一种太阳能多晶硅片制备方法包括如下步骤:S1:制备4N级别的多晶硅片;S2:进行将多晶硅片第一次清洗;S3:将清洗后多晶硅片的在500~1000℃温度下进行加热处理,处理时间5~15h;S4:将加热处理后的多晶硅片进行第二次清洗,干燥。采用本发明方法对多晶硅片进行处理,可以将4N级别的硅片提纯为6N级别的多晶硅片,可以作为太阳能电池硅片使用,本发明方法提纯工艺过程简单,能耗低,设备要求不高,投资少,轻而易举达到太阳能级硅的要求。同时,太阳能硅片的制绒工艺在提纯的过程中已经同时完成。

    一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102206050A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201010141032.5

    申请日:2010-03-31

    Abstract: 本发明属于化学水浴沉积技术领域,为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题,提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法,包括如下步骤:T=65~90℃下向含有Cd2+、NH4+的水溶液中加入氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲,得到化学水浴混合液,所述化学水浴混合液中Cd2+、NH4+、氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲浓度分别为0.001~0.01mol/L、0.01~0.1mol/L、0.1~0.5mol/L、0.1~1.0g/L、0.05~0.2g/L和0.001~0.06mol/L;保持T=65~90℃进行成膜反应,直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时,反应结束;最后,取出沉积了硫化镉薄膜的衬底,并清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外,本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。

    一种歧化硅烷催化剂的预处理方法

    公开(公告)号:CN102029195A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200910190566.4

    申请日:2009-09-30

    Abstract: 本发明为解决现有催化剂易导致反应产物污染、纯度较低、同时降低催化剂催化活性的技术问题,提供一种催化剂的预处理方法。本发明首先去除催化剂中的杂质成分;然后用有机溶剂替换去除催化剂中的水分含量;最后挥发掉有机溶剂,并最好在使用催化剂前,再进行活化。本发明提供的预处理方法,防止由于催化剂中存留杂质和水分而导致产物的分解及设备的腐蚀。同时解决催化剂处理后转移过程的再污染问题,增加了催化剂的活化工艺,在催化剂前处理的同时进一步提高催化剂活性,提高产品的一次转化率。

    一种硅烷中微量杂质的去除方法

    公开(公告)号:CN101987730A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200910109206.7

    申请日:2009-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种硅烷中微量杂质的去除方法,包括采用大孔型阳离子交换树脂,对所述大孔型阳离子交换树脂进行改性;将改性后大孔型阳离子交换树脂装填入吸附塔中,经吹扫除氧后使硅烷气体通过。本发明提供的硅烷中微量杂质去除方法显著的去除了硅烷中的B2H6、PH3和AsH3等微量组分,使各组分含量降至0.5×10-9以下,达到电子及半导体行业对高纯度硅烷的使用要求。

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