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公开(公告)号：CN107294528B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710671406.6
申请日：2017-08-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于锁相环的电荷泵电路，由主电荷泵模块、补偿电荷泵模块和控制模块组成。主电荷泵模块和补偿电荷泵模块的结构相同，并呈镜像地设置在控制模块的输入端侧和输出端侧。其中主电荷泵模块由运算放大器OP1和MOS管M1‑M8构成；MOS管M1的源极接电源VDD，MOS管M1的漏极接MOS管M3源极；补偿电荷泵模块由MOS管M9‑M16的MOS管和运算放大器OP2构成。本发明即保留了传统电荷泵较宽的电压输出范围及较高的充放电电流匹配度，同时又减小了由于沟道长度调制的影响所产生的充放电电流相对于理想电流的偏离。本发明结构简单，易于集成，适合高性能要求的锁相环应用。
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公开(公告)号：CN106549639B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201710035905.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种增益自适应误差放大器，包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求；运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管，并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗，以保证提供更大的增益；比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率，从而输出运算跨导放大电路的控制信号；限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本发明降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波，从而降低了系统功耗，但同时对负载瞬态特性影响很小。
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公开(公告)号：CN114884505A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210623927.5
申请日：2022-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/089
Abstract: 本发明公开一种宽动态范围内低电流变化和失配的电荷泵电路，由基准电流源模块、低压差电流镜模块、充放电匹配模块和开关控制模块组成。基准电流源模块采用与电源电压无关的自启动共源共栅基准电流源结构，产生不受电源电压波动影响的基准电流。低压差电流镜模块包括两个参考支路，可以在宽的输出电压范围内精确复制基准电流，且保持电流的平坦，降低了匹配电流的变化率。充放电匹配模块采用带运放负反馈的源极开关型电荷泵可以实现充放电电流的精确匹配，减小了电流的失配率。开关控制模块受电荷泵输出电压的控制，反馈控制低压差电流镜模块的工作。本发明在采用TSMC 0.18um工艺，电源电压为1.8V时，电荷泵输出电压范围为0.01V～1.79V，电流失配率小于0.15％。
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公开(公告)号：CN114415771A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210022157.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种低纹波无片外电容数字LDO电路，通过控制模块、三选一选择器、进退位控制模块以及S、M与L三种尺寸MOS管阵列构成三环结构的无片外电容数字LDO，并引入前馈最小LCO维持模块。该数字LDO拥有优秀的带负载能力，较低的输出电压纹波，在几十MHz的时钟频率下就可以实现快速的负载调节，在很大程度上缓解了瞬态响应性能和功耗之间的制约关系；此外，由于三环结构的可以实现多种调节模式的优势，和前馈最小LCO维持模块能减少稳态下循环工作MOS管数目的作用，本专利电路仅需要几pF的片上电容，使得一种三环快速调节结构的低纹波无片外电容数字LDO电路得以实现。
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公开(公告)号：CN113625819A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110994864.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种低温漂系数的高性能基准电压源，由启动电路、偏置电流源产生电路、偏置电压产生电路和基准电压补偿电路组成；启动电路先工作，以保证偏置电流源产生电路、偏置电压产生电路和基准电压补偿电路能够正常工作，偏置电流源产生电路为偏置电压产生电路提供稳定的偏置电流，偏置电压产生电路产生偏置电压，该偏置电压经基准电压补偿电路的温度补偿作用，产生一个低温漂系数的基准电压。本发明降低了电路的温漂系数，具有较宽的温度范围、较低的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224593A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910542822.5
申请日：2019-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M3/156 , H03K17/284
Abstract: 本发明公开具有内阻自适应的最大功率追踪电路及DC-DC升压电路，最大功率追踪电路采用开关延时生成电路与开关延时综合电路相结合的电路结构，开关延时生成电路将输入电容上的电压与最大功率点电压进行比较，开关延时综合电路实时根据环境能量源的内阻大小自适应生成不同长短的延时时间，以此生成携带了输入内阻大小信息的开关信号；DC-DC升压电路利用最大功率追踪电路所生成的携带了输入内阻大小信息的开关信号S0，不仅能够保证其在输入电压的变化范围较宽时系统仍具有较高的追踪效率，追踪效率最高可达99.64％；而且能够保证其在环境能量源的内阻较大的范围内仍具备较高的能量转换效率，能量转换效率最高可达96.25％。
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公开(公告)号：CN109525239A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201910067022.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开一种数字输出两级双精度生物医学电容传感器接口电路，由电容时间转换电路和时间数字转换电路组成。采用两级双精度振荡器产生低精度、高精度两路参考信号，对被测电容进行双精度测量，在提高电容测量精度的同时，减少测量时间；同时，可根据被测电容的大小，对外接的参考电容的电容值和外部控制的可编程分频器的分频倍数进行调整，实现非固定、宽范围、高精度的电容检测；逻辑控制单元结构，使双精度参考信号可在分频后的被测信号的一个周期内完成测量，减少测量时间；电容的变化直接转换为数字编码输出，可减少模数转换单元，方便与后续芯片级联，降低电容测量误差。
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公开(公告)号：CN106026996B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610381483.3
申请日：2016-06-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本发明能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN107967022A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN106788402A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710110278.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/02 , H03K17/687 , H03H11/04
CPC classification number: H03L7/02 , H03H11/04 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种频带间隔均匀的宽带压控振荡器，由电感电容谐振电路和开关电容阵列电路组成。开关电容阵列电路包括两段线性逼近开关电容阵列和数字逻辑控制电路。采用两段线性逼近电容阵列替代传统的二进制权重电容阵列，根据控制码的变化利用数字逻辑控制电路调整两段线性逼近开关电容阵列接入谐振回路的开关电容的大小，使得各相邻频带的调谐曲线间隔趋于均匀，即可以减小各个频带调谐曲线间隔的差异性，提高均匀性，通过降低频带间隔值即降低调谐增益以实现改善频率合成器相位噪声的目的。
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