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公开(公告)号：CN110212873A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910620696.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03F1/26 , H03F3/68 , A61B5/0408
Abstract: 本发明公开一种应用于可穿戴干电极心电监测的低噪声高输入阻抗放大器。放大器电路采用新颖的斩波稳定技术降低了电路的闪烁噪声，能够有效地对超低频的心电信号进行放大；同时采用了采样输入结构，保证了在使用斩波稳定技术的同时不降低放大器的输入阻抗，能够有效地从高阻的干电极获取心电信号，有利于可穿戴干电极心电检查的应用；采用了数字模拟混合调节的电极失调抑制电路，在提供了±300mV的电极失调抑制能力的同时不增加总体电路的噪声；采用快速恢复电路，提高了电极失调抑制环路的恢复时间，有利于全天候连续心电检测的应用，为物联网+医疗提供了很好的解决方案。
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公开(公告)号：CN109842284A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910168006.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本发明通过对两种形式的能量进行整合，解决现有技术对单一能量要求严苛问题，降低最低启动电压。本发明使用范围广，可广泛应用在能量收集系统中，降低自启动所需求的电压值。
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公开(公告)号：CN107968564A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810049795.3
申请日：2018-01-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2001/0048
Abstract: 本发明公开一种基于开关电容的微能量收集升压DC-DC转换电路，由LC振荡电路、N+M个开关电容单元、储能电容C0和C2、带隙基准电压源、比较器、边沿检测电路、反相器、压降检测支路、斯密特反相器、开关管MN2和MP3、以及与非门组成。本发明能够在较低输入电压条件下启动，减少数字电路和系统时钟数目，进一步减小控制电路的功耗，以实现全集成。
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公开(公告)号：CN106411287A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610961497.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03H11/12
CPC classification number: H03H11/1217
Abstract: 本发明公开一种低功耗双模式可调谐复数中频滤波器，由偏置电路、数模混合调谐电路和复数中频滤波电路组成；复数中频滤波电路由2个以上的二阶复数滤波电路级联而成；偏置电路为复数中频滤波电路和数模混合调谐电路提供偏置电压；数模混合调谐电路产生一个随内部电阻值的变化而变化的电压控制信号，该电压控制信号接入复数中频滤波电路的控制端，以达到对复数中频滤波电路进行调谐的目的。本发明在提供中频滤波功能的同时，通过外加切换信号实现两种模式的切换；同时，可以针对集成电路的制作工艺所导致的无源器件的误差进行有效地调谐，整个芯片功耗仅为1.5mW左右。
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公开(公告)号：CN105871347A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183972.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/30
Abstract: 本发明公开一种低功耗CMOS可变增益放大器，包括至少一个吉尔伯特电路、固定增益放大器、偏置电路和伪指函数发生电路。吉尔伯特电路的输入端接入输入电压信号。吉尔伯特电路的输出端接固定增益放大器的输入端，固定增益放大器的输出端送出输出电压信号。偏置电路的输出端连接吉尔伯特电路、固定增益放大器和伪指函数发生电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号，伪指函数发生电路的输出端产生一个随增益控制电压呈指数规律变化的指数变化电压信号，该指数变化电压信号接入吉尔伯特电路的控制端，去控制吉尔伯特电路的增益。本发明能在保持可变增益放大器的增益dB线性范围尽可能大的同时降低可变增益放大器的整体功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112054797B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011050494.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种适用于高速DAC的电流开关驱动器，由同步锁存电路、限幅低交叉电路和电流开关电路组成；同步锁存电路的同步锁存电路输入采样时钟信号CLK和输入信号VIN；同步锁存电路的同步锁存信号DP和DN的输出端分别连接限幅低交叉电路的同步锁存信号DP和DN的输入端；限幅低交叉电路的开关驱动信号DSP和DSN的输出端分别连接电流开关电路的开关驱动信号DSP和DSN的输入端连接；电流开关电路输出输出信号OUTP和OUTN。本发明能够有效降低开关信号幅度和开关信号交叉点，并减小版图的面积。
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公开(公告)号：CN108964486B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811097892.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117032386A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310762536.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26 , H03K17/687 , H03K5/24 , H03K5/01
Abstract: 本发明公开了一种最大电压自动选择电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的最大电压自动选择电路，包括偏置电路、共源共栅电流镜像电路、最大电压比较电路、施密特触发器、最大电压选择开关组成；所述偏置电路由基准电流产生电路和偏置电压产生电路组成；所述共源共栅电流镜像电路采用共源共栅结构；所述最大电压比较电路将输入电压转换成相应的电流，然后自动根据电流的大小对储能电容进行充放电；所述施密特触发器将最大电压比较电路的结果整形后，再去驱动最大电压选择开关；所述最大电压选择开关导通之后将最大电压传到输出端。本发明创新性的使用NMOS管储能电容代替普通金属电容，能大大减少电路的版图面积；将电压比较转成电流比较的方式以及施密特触发器的使用不仅增加了电压比较的速度和精度，也提高了电路的稳定性；基准电流电路和镜像电路产生的电流都在纳安级，因此整个电路的总功耗极小。
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公开(公告)号：CN115525092A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211304089.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN112671407A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011495280.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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