公开(公告)号：CN108964486A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811097892.6

申请日：2018-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  段吉海 ,  岳宏卫

IPC: H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H02M1/088

CPC classification number: H02M7/217 ,  H02M1/088 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0054

Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108964486B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201811097892.6

申请日：2018-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  段吉海 ,  岳宏卫

IPC: H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108649822B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201810750358.4

申请日：2018-07-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  韦雪明 ,  徐卫林 ,  段吉海

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。

公开(公告)号：CN108649822A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810750358.4

申请日：2018-07-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  韦雪明 ,  徐卫林 ,  段吉海

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。

公开(公告)号：CN208433920U

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201821086949.8

申请日：2018-07-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  韦雪明 ,  徐卫林 ,  段吉海

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/088

Abstract: 本实用新型公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本实用新型通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本实用新型能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208754200U

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201821544135.4

申请日：2018-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦保林 ,  韩怀宇 ,  李兴旺 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  段吉海 ,  岳宏卫

IPC: H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H02M1/088

Abstract: 本实用新型公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF-；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本实用新型在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利