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发明公开
一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN103824878A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044259.6

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 杨勇雄 , 吴煜东 , 何多昌 , 蒋华平 , 李诚瞻 , 赵艳黎 , 吴佳 , 唐龙谷

IPC: H01L29/06 , H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。

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