公开(公告)号：CN103703410B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280032194.2

申请日：2012-08-02

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  石井大助 ,  柳川良勝 ,  木口哲也

IPC: G02F1/03 ,  G02B27/28

CPC classification number: G02F1/0136 ,  H01S3/0057

Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度扩展装置，其构成为具备：将入射的脉冲激光进行分光的偏振分光镜（1）；根据所施加的电压而将入射的脉冲激光进行偏振的电光元件（2a、2b）；通过向所述电光元件施加电压并对该电压进行控制，从而对入射到所述电光元件上的脉冲激光的偏振进行控制的偏振控制装置（3）；以及具有将通过了所述电光元件的脉冲激光反射并使其入射到所述偏振分光镜的多个反光镜（4a、4b、4c），并形成使脉冲激光再一次入射到所述电光元件的光路的光路形成装置（4），通过使由所述偏振分光镜分光的脉冲激光围绕所述光路旋转从而使相位错开，并将该相位错开的脉冲激光进行重合从而扩展其脉冲宽度。

公开(公告)号：CN105980933A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007561.7

申请日：2015-02-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  石川晋 ,  佐藤敬行 ,  桥本和重

IPC: G03F7/20 ,  B41J2/447 ,  G02B13/00 ,  G03G15/04

CPC classification number: G03F7/7015 ,  B41J2/447 ,  B41J2/47 ,  G03F7/2057 ,  G03F7/70391 ,  G03F7/704 ,  G03G15/04054

Abstract: 在使多个光束的射束之间微小偏转的射束曝光装置中均匀地进行多个光束的微小偏转。射束曝光装置(1)具备：光出射部(2)，从多个光出射位置(2a)射出光束(Lb)；扫描部(3)；聚光光学系统(4)，将光束(Lb)的光斑聚光于被曝光面(Ex)；及微小偏转部(5)，将多个光束(Lb)微小偏转以曝光多个光束(Lb)的射束之间。聚光光学系统(4)具备：第1微透镜阵列(41)，配置在光出射部(2a)与微小偏转部(5)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(41M)；及第2微透镜阵列(42)，配置在微小偏转部(5)与被曝光面(Ex)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(42M)。

公开(公告)号：CN104395832B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380034909.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明提供一种光取向曝光装置及光取向曝光方法。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域中的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光装置(100)，其将液晶显示元件的各单位图像区域分割为多个分割区域，并分别向不同方向对各分割区域的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光装置具备：第1掩模(M1)及第1曝光装置(11)，用于单独接近式曝光第1分割区域(Da1)；第2掩模(M2)及第2曝光装置(12)，用于单独接近式曝光与第1分割区域(Da1)相邻的第2分割区域(Da2)；及第3掩模(M3)及第3曝光装置(13)，用于曝光第1分割区域(Da1)与第2分割区域(Da2)的边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域，第3曝光装置(13)相对于被曝光面Bs具备与第1曝光装置(11)或第2曝光装置(12)相同的光照射角度，在第3掩模(M3)的掩模开口与被曝光面(Bs)之间具备聚光机构(20)，其使掩模透射光聚光于边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域。

公开(公告)号：CN105209976A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480027536.0

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7015 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275

Abstract: 本发明涉及通过利用微透镜阵列将掩模上的图案成像在基板上而曝光基板的曝光装置等，并使射出曝光光的照明单元小型化。微透镜阵列(30)具有包含朝向与移动方向(A)相交的方向的排列且以二维方式配置的多个微透镜(31)，照明单元具有：排列有多个激光二极管的LD阵列条；以及照明光学系统，其将从构成该LD阵列条的多个激光二极管射出的多个发出光转换成缝形状的曝光光束，并利用该曝光光束的曝光光(170)对排成一列的多个微透镜上进行照明，关于与移动方向相交的方向，该曝光光束以跨越在该方向上排列的多个微透镜的方式扩展，并且关于移动方向，该曝光光束被限制为不会波及排列于在该移动方向上相邻的列上的微透镜的宽度。

公开(公告)号：CN104919731A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070056.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  石川晋 ,  金尾正康 ,  小川吉司

IPC: H04B10/80 ,  H01L31/02 ,  H04B10/114

CPC classification number: H04B10/803 ,  H01L31/173

Abstract: 本发明提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。

公开(公告)号：CN102714149B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

公开(公告)号：CN104169798A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071476.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明的曝光头包含以下部分：透明基板；多个曝光光源，其形成于上述透明基板，辐射曝光光；聚光透镜，其使来自上述曝光光源的曝光光会聚到上述曝光对象物上；摄像机构，其配置于隔着上述透明基板与上述聚光透镜相反的一侧，对上述曝光对象物进行摄像；以及控制机构，其基于由上述摄像机构摄像得到的图像信息，控制上述曝光光源的点亮。另外，本发明的曝光装置包含本发明的曝光头。根据这样的构成，能够提高曝光对象物的对位精度，使曝光对象物的曝光精度提高。

公开(公告)号：CN102365588B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080013999.3

申请日：2010-03-17

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70791 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70425

Abstract: 本发明提供一种曝光方法及曝光装置。在曝光方法中，当一边向箭头A方向输送被曝光体(8)，一边使用光掩模(11)的第一掩模图案组(12)进行的对被曝光体(8)的第一曝光区域(9)的曝光结束时，与被曝光体的输送速度同步地使光掩模(11)移动而从第一掩模图案组(12)切换成第二掩模图案组(13)，其中光掩模(11)通过将与各曝光图案对应的多种掩模图案组沿着被曝光体(8)的输送方向以规定间隔排列而形成，并且，当光掩模(11)的掩模图案组的切换结束时，使该光掩模(11)的移动停止，通过第二掩模图案组(13)来执行对被曝光体(8)的第二曝光区域(10)的曝光，从而在被曝光体(8)的沿输送方向以规定间隔设定的多个曝光区域的每个区域上形成不同的曝光图案(24、25)。由此，提高对同一被曝光体的多种曝光图案的形成效率。

公开(公告)号：CN103619527A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280022484.9

申请日：2012-05-09

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  畑中诚

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/064 ,  C03B33/09 ,  G02B3/06

CPC classification number: G02B3/06 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0734 ,  B23K26/388 ,  B23K26/389 ,  C03B33/04 ,  C03B33/093 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0966 ,  G02B2003/0093

Abstract: 本发明的透镜及搭载有该透镜的激光加工装置用于对被切割材料切割由闭合曲线构成的任意形状的部件，并且以使连结凸型圆柱透镜的圆柱面的顶点的线为与由上述闭合曲线构成的任意形状相同的形状的方式，闭合形成凸型圆柱透镜而成形。

公开(公告)号：CN102906635A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180020598.5

申请日：2011-04-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  新井敏成 ,  水村通伸

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/13

CPC classification number: G03F9/7084 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133788 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70566

Abstract: 本发明提供一种取向处理方法及取向处理装置，其使涂敷了取向膜的基板与具有第一掩模图案组（6A）和第二掩模图案组（6B）的光掩模（7）靠近对置，将该基板（4）在与所述第一及第二掩模图案组（6A）、（6B）交叉的方向上移动，第一掩模图案组（6A）以一定的排列间距形成细长状的多个开口，第二掩模图案组（6B）与该第一掩模图案组（6A）平行地设置且以与所述多个开口的排列间距相同的间距形成细长状的多个开口，对所述光掩模（7）的第一及第二掩模图案组（6A）、（6B）分别照射入射角度（θ）为不同的P偏振光，在所述取向膜上交替地形成取向状态不同的条纹状的第一及第二取向区域。由此，通过一次取向处理来形成取向状态不同的二种条纹状的取向区域并缩短取向处理工序的节拍。