公开(公告)号：CN111524804A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010078537.5

申请日：2020-02-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67 ,  B28D5/00 ,  B28D5/02 ,  B28D5/04

Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层(12)的衬底(16)的方法。该方法包括提供具有第一表面(4)和与第一表面(4)相反的第二表面(6)的工件(2)，以及在工件(2)的内部形成改性层(8)，该改性层(8)包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件(2)的内部形成改性层(8)之后，在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)，以及在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)之后，沿着改性层(8)分割工件(2)，从而获得具有功能层(12)的衬底(16)。沿着改性层(8)分割工件(2)包括向工件(2)施加外部刺激。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。

公开(公告)号：CN106531623B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201610806581.7

申请日：2016-09-06

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。

公开(公告)号：CN109417049A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039824.1

申请日：2017-06-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种处理晶片(W)的方法，该晶片具有包含器件区域的第一面(1)和具有多个突出物(14)的第二面(6)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供具有贴在其正面(17)上的缓冲层(13)的基片(7)；将保护膜(4)的正面贴附到晶片(W)的第二面(6)，并且将保护膜(4)的与其正面相反的背面贴附到缓冲层(13)。突出物(14)嵌入缓冲层(13)中，并且基片(7)的背面(18)与晶片(W)的第一面(1)大致平行。

公开(公告)号：CN106531623A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610806581.7

申请日：2016-09-06

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。

公开(公告)号：CN103700584A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310446641.5

申请日：2013-09-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10S438/977 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供一种表面保护部件以及使用了该表面保护部件的加工方法，该保护部件容易从晶片表面剥离，且不会在器件表面残留粘接剂。使晶片(1)的器件区域(3)和配设在表面保护部件的凹部(12)的凹凸吸收部件(14)对应地将晶片(1)配设到表面保护部件上，并且将粘接剂(20)配设到器件区域的外侧，从而将表面保护部件(10)和晶片(1)固定(固定步骤)，将表面保护部件侧保持至保持工作台(21)并通过磨削构件(22)来磨削晶片的背面(1b)，从而薄化至预定厚度(磨削步骤)，接下来从晶片上除去表面保护部件(除去步骤)。通过将粘接剂局部性地配设到器件区域的外侧，容易剥离，不会在器件表面残留粘接剂。

公开(公告)号：CN101468443B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200810185059.7

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: B24B7/22 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B55/03

Abstract: 本发明提供一种磨削装置，其能够降低因在晶片磨削时使用纯水作为磨削液而增大的生产成本。上述磨削装置具有：进行粗磨的第一磨削构件、和进行精磨的第二磨削构件，在第一磨削构件中，回收第二磨削构件中使用过的磨削液的废液来作为磨削液使用，在第二磨削构件中使用纯水作为磨削液。通过这样的结构，使纯水的使用量实质上变为以往的一半，另一方面，即使混入在废液中的磨削屑等混入在晶片上，由于能够在利用第二磨削构件的精磨中除去该磨削屑，所以不会给晶片的质量带来影响。