-
公开(公告)号：CN104733539B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410798404.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
-
公开(公告)号：CN106469757A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610570990.1
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置具有：氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置的栅电极、氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层、氧化物半导体层的下层的第1屏障层、在氧化物半导体层的上层包围氧化物半导体层的上方及侧方且在氧化物半导体层的周围与第1屏障层相接的第2屏障层、配置在氧化物半导体层和第1屏障层之间的第1氧化层、配置在氧化物半导体层和第2屏障层之间的第2氧化层。
-
公开(公告)号：CN106409917A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610509513.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/47635 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L21/44
Abstract: 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。
-
公开(公告)号：CN103515395B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310237104.X
申请日：2013-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
-
公开(公告)号：CN105261653A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510411819.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/0847
Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119923005A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510107012.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。其目的在于应对具有基于PIN型光导电膜的光传感器的半导体装置中的电极连接不良。本发明的构成如下所述。半导体装置，其具有光传感器，其特征在于，上述光传感器在基板之上形成有薄膜晶体管，在相较于上述薄膜晶体管而言的上层形成有光电二极管，上述光电二极管由阳极(131)、光导电膜(130)、阴极(126)构成，上述阴极(126)由钛膜构成，在上述钛膜与上述光导电膜之间，形成有第一透明导电膜(201)。
-
公开(公告)号：CN115326114B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210498201.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G01D5/26
Abstract: 根据一实施方式，传感器装置具备：绝缘基材，具有蛇行的带状部和与上述带状部连接的岛状部；第1无机绝缘膜，配置在上述岛状部之上；第1布线层，配置在上述第1无机绝缘膜之上；第2无机绝缘膜，配置在上述第1布线层之上；第2布线层，配置在上述第2无机绝缘膜之上；有机绝缘膜，配置在上述第2布线层之上；阻挡膜，由无机绝缘材料形成，将上述有机绝缘膜覆盖；传感器元件，配置在上述阻挡膜之上；以及密封膜，由无机绝缘材料形成，将上述传感器元件覆，上述传感器元件是有机光电二极管，上述阻挡膜将上述有机绝缘膜的侧面覆盖，上述密封膜在上述传感器元件的外侧与上述阻挡膜及上述第2无机绝缘膜相接。
-
公开(公告)号：CN117334701A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328162.3
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明涉及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，第一TFT中，覆盖氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于氧化物半导体，覆盖第一漏电极及第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于第一漏电极，源极布线(122)介由第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于第一源电极。
-
公开(公告)号：CN111584499B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010081137.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
-
公开(公告)号：CN116709883A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310181782.2
申请日：2023-03-01
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/60 , H10K50/805 , H10K50/84 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。一个实施方式的显示装置的制造方法包括：形成包含第1金属层和导电性氧化物层的下电极，该导电性氧化物层覆盖所述第1金属层且厚度为15nm以上且50nm以下；形成覆盖所述下电极的至少一部分并具有使所述导电性氧化物层露出的像素开口的肋部；在从所述像素开口露出的所述导电性氧化物层及所述肋部的上方形成第2金属层；和通过包含湿式蚀刻的蚀刻使所述第2金属层图案化以在所述肋部之上形成隔壁。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.024 seconds)
